最大正向电流：100 mA
　　最大反向电压：30 V
　　正向压降（@100mA）：1.0 V（最大）
　　反向漏电流（@25°C）：100 nA（最大）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23
　　引脚数量：3

MMBD2838LT1G /MA6 是一款高性能的双二极管阵列，专为低功耗和高速开关应用设计。其正向压降低于1.0V（在100mA电流下），使得该器件在电池供电设备中具有更高的能效。由于其低压降特性，该器件在电源管理、负载切换和信号隔离等应用中表现出色。此外，MMBD2838LT1G的反向漏电流非常低，在25°C时最大仅为100nA，确保在高温和低信号条件下依然保持良好的隔离性能。
　　该器件采用了ON Semiconductor的先进硅工艺制造，具有优异的热稳定性和长期可靠性，适用于各种恶劣环境下的工业和汽车应用。SOT-23封装形式不仅节省空间，而且便于在高密度PCB设计中使用，适合SMT（表面贴装技术）生产工艺。MMBD2838LT1G还具有快速恢复时间，适合高频开关应用，如RF信号切换和高速数据线路保护。
　　该器件的双二极管结构允许独立使用两个二极管，也可以并联使用以增加电流能力。这种灵活性使其在多个领域中具有广泛的应用潜力，例如用于保护敏感电路免受静电放电（ESD）影响，或作为逻辑电路中的钳位二极管。

MMBD2838LT1G /MA6 主要用于以下应用场景：
　　1. 电源管理电路：用于负载切换、反向电流保护和低电压降电源路径控制。
　　2. 信号隔离和钳位电路：用于数字和模拟电路中的信号隔离、电压钳位和保护。
　　3. RF和通信系统：用于射频信号切换、天线调谐和低噪声前端保护电路。
　　4. ESD保护：用于接口电路（如USB、HDMI）中的静电放电保护，防止高电压尖峰损坏后级IC。
　　5. 汽车电子系统：适用于车载娱乐系统、车身控制模块和传感器接口电路，提供可靠性和稳定性。
　　6. 便携式设备：如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，用于节省空间和提高能效。

MMBD2837LT1G, MMBD2839LT1G, 1N4148WT, BAS70-05