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MM3Z10VT1G 发布时间 时间:2023/4/4 11:30:39 查看 阅读:905

MM3Z10VT1G技术参数

目录

概述

齐纳击穿电压Vz最小值(V):9.400

齐纳击穿电压Vz典型值(V):10

齐纳击穿电压Vz最大值(V):10.600

@Izt(mA):5

齐纳阻抗Zzt(Ω):160

最大功率PMax(W):0.200

芯片标识:0L

封装/温度(℃):SOD323/-65~150

资料

厂商
ON Semiconductor

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MM3Z10VT1G参数

  • 标准包装10
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列-
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)10V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)900mV @ 10mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电100nA @ 8V
  • 容差±6%
  • 功率 - 最大200mW
  • 阻抗(最大)(Zzt)20 欧姆
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-76,SOD-323
  • 供应商设备封装SOD-323
  • 包装Digi-Reel®
  • 工作温度-65°C ~ 150°C
  • 其它名称MM3Z10VT1GOSDKR