时间：2025/5/30 14:07:23
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MM1Z24BW是一种高速、低功耗的CMOS静态随机存取存储器(SRAM)，具有高可靠性与优良的电气性能。该芯片采用先进的半导体工艺制造，广泛应用于需要快速数据访问和稳定存储的各种电子设备中。其组织结构为2K x 8位，提供总共16Kbit的存储容量。
MM1Z24BW具备标准的同步接口特性，适用于多种工业及商业环境下的数据缓冲、临时存储等应用。
存储容量：16Kbit
组织形式：2K x 8
工作电压(Vcc)：4.5V ~ 5.5V
访问时间：25ns
工作电流：30mA（最大值）
待机电流：20μA（最大值）
封装形式：SOJ-18, PDIP-18
温度范围：商业级：0°C ~ 70°C，工业级：-40°C ~ +85°C
MM1Z24BW采用了CMOS技术，具有低功耗的特点，同时保持了较快的访问速度。
该芯片支持全静态操作，无需刷新电路，简化了系统设计。
具备三态输出功能，允许总线共享，提高了系统的灵活性。
输入输出引脚具有施密特触发特性，增强了抗噪能力。
在待机模式下，芯片能够显著降低功耗，非常适合对电池寿命有要求的应用场景。
其宽温度范围选项使得该器件可以适应多种工作环境。
MM1Z24BW广泛应用于各种需要高性能数据存储的场合，例如通信设备中的数据缓冲、工业控制系统的临时数据存储、消费类电子产品中的程序运行缓存以及医疗仪器的数据记录等功能。
由于其低功耗和快速访问时间，该芯片也适合便携式设备和手持终端使用。
此外，其三态输出特性使其成为多芯片系统中的理想选择，可以方便地与其他逻辑电路协同工作。
MM1Z24BQ
MM1Z24BP
M6816P
HM6116LP
