MM1501XNRE 时间：2025/8/10 23:15:39 阅读：23

MM1501XNRE 是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）推出的高性能、低功耗的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术制造，具备优异的导通电阻和开关性能，适用于高效率的电源管理系统。MM1501XNRE通常采用DFN（Dual Flat No-lead）封装，适用于紧凑型设计和高密度电路布局。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：20V
　　最大栅源电压（Vgs）：±12V
　　最大连续漏极电流（Id）：4.9A
　　导通电阻（Rds(on)）：15mΩ @ Vgs=4.5V
　　导通电阻（Rds(on)）：21mΩ @ Vgs=2.5V
　　功耗（Pd）：2.0W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：DFN10

特性

MM1501XNRE具备低导通电阻（Rds(on)），可在低电压应用中显著降低导通损耗，提高系统效率。
　　该器件支持高电流负载能力，最大连续漏极电流可达4.9A，适合用于小型电源管理、负载开关、DC-DC转换器等场景。
　　其栅极驱动电压范围较宽，支持2.5V至4.5V的驱动电压，兼容多种控制电路设计，适用于低压逻辑控制驱动。
　　MM1501XNRE采用了先进的沟槽式结构，优化了开关性能，降低了开关损耗，适用于高频开关应用。
　　DFN封装形式不仅节省空间，还提供了良好的热性能和电气性能，适合高密度PCB设计。
　　此外，该MOSFET具有良好的热稳定性和可靠性，能够在较宽的工作温度范围内保持稳定性能。

应用

MM1501XNRE广泛应用于各类便携式电子产品，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等，用于电源管理或负载开关控制。
　　在电源管理系统中，MM1501XNRE可用于电池供电电路的高侧或低侧开关，实现高效的电能控制。
　　该器件也常用于DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电机驱动电路中。
　　此外，MM1501XNRE还可用于工业自动化设备、传感器模块、LED驱动电路等低电压高效率需求的应用场景。
　　由于其低导通电阻和优异的开关性能，适用于需要快速开关和低功耗设计的高频应用，如电源适配器、无线充电模块等。