时间：2025/8/25 7:04:20
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HGTH12N40C1是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件具有低导通电阻、高耐压和高电流容量的特点，适用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等高功率应用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：400V
栅源电压(Vgs)：±30V
连续漏极电流(Id)：12A
导通电阻(Rds(on))：典型值为0.32Ω（最大值0.42Ω）
功率耗散(Pd)：150W
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装形式：TO-247
HGTH12N40C1具有低导通电阻（Rds(on)）的特性，这有助于减少功率损耗并提高系统的整体效率。其高耐压能力（400V Vds）使其适用于中高功率的电源转换器和电机控制应用。此外，该器件的封装形式为TO-247，具备良好的散热性能，有助于在高电流工作条件下保持稳定。其栅极驱动电压范围宽广（±30V），提高了与各种驱动电路的兼容性。
这款MOSFET采用了先进的平面工艺技术，确保了良好的热稳定性和长期可靠性。它还具备快速开关特性，适用于高频开关应用，从而有助于减小外部电感和电容的尺寸，提升系统的功率密度。此外，HGTH12N40C1在高温环境下依然能够保持稳定的性能，适合工业级和汽车级应用环境。
HGTH12N40C1广泛应用于各种电力电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC降压/升压转换器、不间断电源（UPS）、工业自动化设备、电机控制电路、照明系统（如LED驱动）以及电动汽车中的电力管理系统。其高耐压和大电流能力也使其适用于太阳能逆变器和电能质量调节设备。由于其具备高可靠性和良好的热管理特性，该器件也常用于需要长时间稳定运行的工业控制系统和车载电源系统中。
STP12N40, IRF740, FQA12N40, FDPF12N40
