MM1111XFBE 时间：2025/12/29 13:36:41 阅读：10

MM1111XFBE是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的工艺制造，具有低导通电阻（RDS(on)）和高电流承载能力，适用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统。MM1111XFBE采用8引脚的PowerPAK封装，体积小巧，便于在高密度电路设计中使用。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：5.3A（@VGS=10V）
　　导通电阻（RDS(on)）：0.045Ω（@VGS=10V）
　　功耗（PD）：2.0W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：PowerPAK 8引脚

特性

MM1111XFBE具有多项优异的电气特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）能够有效降低导通损耗，提高系统效率。在高电流负载条件下，RDS(on)的温度系数较低，确保器件在高温下仍能保持良好的性能。
　　其次，MM1111XFBE具备较高的栅极击穿电压（±20V），增强了器件在高频开关应用中的稳定性与可靠性。此外，该MOSFET的漏源击穿电压为30V，适用于中低电压电源转换器和负载开关应用。
　　该器件采用PowerPAK 8引脚封装，热性能优异，能够有效散热，提升整体系统稳定性。同时，其小型封装设计便于在空间受限的电路板中布局，适用于便携式设备和紧凑型电源模块。
　　MM1111XFBE还具备快速开关特性，适用于DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统、电机控制和负载开关等应用场景。其优异的热稳定性和抗冲击能力，使其能够在严苛的工作环境中保持长期稳定运行。

应用

MM1111XFBE广泛应用于多种电源管理和功率控制电路中。常见的应用包括同步整流式DC-DC转换器、电池充电管理电路、负载开关控制、电机驱动电路以及工业自动化设备中的电源管理模块。由于其具备低导通电阻和良好的热性能，该器件也常用于便携式电子产品，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和无人机等设备中的电源管理系统。此外，在汽车电子系统中，MM1111XFBE可用于车载充电器、LED照明驱动器和电动助力转向系统等应用。