您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > MLZ2012N1R0LTD25

MLZ2012N1R0LTD25 发布时间 时间:2025/12/5 18:40:02 查看 阅读:28

MLZ2012N1R0LTD25是一款由Vishay Dale生产的精密多层陶瓷片式电感器(Multilayer Chip Inductor),属于MLZ系列。该系列产品专为高频应用设计,采用先进的多层陶瓷和金属电极技术制造,具有高可靠性、小尺寸和良好的温度稳定性。MLZ2012N1R0LTD25的标称电感值为1.0μH,额定电流能力适中,适用于便携式电子产品中的电源管理电路、射频匹配网络以及去耦滤波等场合。其封装尺寸为2012(公制代码),即2.0mm × 1.25mm,高度低至1.0mm,适合高密度表面贴装技术(SMT)。该器件符合RoHS环保标准,并具备良好的抗湿性和机械强度,能够在严苛环境下稳定工作。由于其出色的Q值特性和较低的直流电阻(DCR),MLZ2012N1R0LTD25在无线通信模块、智能手机、可穿戴设备及物联网终端中得到了广泛应用。
  该电感器在制造过程中采用了高温共烧陶瓷(HTCC)工艺与内部螺旋线圈结构设计,有效提升了单位体积内的电感密度和电磁性能。同时,其磁芯材料具有优异的频率响应特性,可在较宽的工作频率范围内保持稳定的电感值。此外,MLZ2012N1R0LTD25具备良好的抗老化性能和长期可靠性,经过严格的环境测试验证,包括温度循环、高温高湿存储和耐焊接热冲击测试,确保在自动化生产流程中的良率和成品稳定性。

参数

产品系列:MLZ
  封装尺寸:2012(2.0mm x 1.25mm)
  电感值:1.0 μH
  电感公差:±5%
  直流电阻(DCR):典型值370 mΩ
  额定电流(Irms):340 mA(温度上升40°C)
  饱和电流(Isat):460 mA(电感下降30%)
  自谐振频率(SRF):最小250 MHz
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  存储温度范围:-40°C 至 +150°C
  焊接方式:回流焊(符合J-STD-020)
  环保标准:符合RoHS和无卤素要求

特性

MLZ2012N1R0LTD25采用多层陶瓷基板与内嵌银导体的三维绕组结构,这种设计显著提高了电感器的能量存储效率并降低了寄生电阻的影响。其内部采用高温共烧陶瓷(HTCC)工艺,在氮气保护环境下进行烧结,确保了电极与介质之间的良好结合力和长期可靠性。该结构还增强了器件对热应力和机械振动的抵抗能力,使其适用于移动电子设备中频繁受到冲击或温变的应用场景。此外,该电感具有较高的自谐振频率(SRF > 250MHz),意味着它能在高频段下仍保持良好的电感特性,减少因接近谐振点而导致的性能劣化现象,适用于射频前端模块中的阻抗匹配网络。
  该器件具备优异的温度稳定性,其电感值随温度变化较小,主要得益于所使用的陶瓷介质材料具有接近零的温度系数。在-40°C到+125°C的工作范围内,电感漂移控制在公差允许范围内,保证了系统在不同环境下的电气一致性。同时,其较低的直流电阻(DCR ≈ 370mΩ)有助于降低功率损耗,提高电源转换效率,尤其在电池供电设备中意义重大。额定电流达到340mA RMS,表明其可以承受一定水平的持续电流而不会发生过热损坏,适用于小型DC-DC转换器输出滤波或储能元件。
  MLZ2012N1R0LTD25还表现出良好的抗饱和特性,饱和电流为460mA时电感值下降30%,说明其磁芯材料具备较强的磁场承载能力,能够在瞬态负载变化中维持电路稳定性。这一特性对于防止开关电源中因电流突增导致电感失效至关重要。此外,该器件通过AEC-Q200认证的可能性较高,虽主要用于消费类电子,但在部分工业级应用中也可替代传统绕线电感,实现更紧凑的设计布局。整体而言,该电感集小型化、高效能与高可靠性于一体,是现代高频模拟与电源电路设计中的理想选择之一。

应用

MLZ2012N1R0LTD25广泛应用于各类高频及便携式电子设备中,尤其适合需要高集成度和稳定性能的场合。常见应用包括智能手机和平板电脑中的射频前端模块,用于Wi-Fi、蓝牙或蜂窝通信链路的LC滤波器和阻抗匹配网络,以优化信号传输质量和提升天线效率。此外,该电感也常用于小型DC-DC降压或升压转换器的输出滤波环节,配合陶瓷电容构成π型或T型滤波器,有效抑制开关噪声并平滑输出电压。在可穿戴设备如智能手表和健康监测手环中,因其体积小巧且功耗低,成为电源管理单元(PMU)中不可或缺的被动元件之一。
  在物联网(IoT)终端节点设计中,该电感被用于微控制器核心电压调节、传感器供电路径去耦以及无线收发器的偏置电路中,帮助延长电池寿命并提升系统稳定性。此外,在高清摄像头模组、音频放大器旁路电路以及EMI抑制电路中也有应用实例。由于其具备良好的高频响应和较低的电磁辐射特性,MLZ2012N1R0LTD25还可用于高速数字接口的电源隔离设计,防止高频干扰串入敏感模拟电路。总体来看,该器件特别适用于空间受限但对电气性能要求较高的消费类电子、工业传感和通信模块等领域。

替代型号

LQM2B2N1R0MG0L
  DLW21SN1R0SQ2L
  CMC2012N1R0LT

MLZ2012N1R0LTD25推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

MLZ2012N1R0LTD25参数

  • 现有数量48,404现货
  • 价格1 : ¥1.27000剪切带(CT)4,000 : ¥0.46972卷带(TR)
  • 系列MLZ
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 类型多层
  • 材料 - 磁芯铁氧体
  • 电感1 μH
  • 容差±20%
  • 额定电流(安培)1.15 A
  • 电流 - 饱和 (Isat)220mA
  • 屏蔽屏蔽
  • DC 电阻 (DCR)60 毫欧
  • 不同频率时 Q 值-
  • 频率 - 自谐振-
  • 等级AEC-Q200
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 电感频率 - 测试2 MHz
  • 特性-
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 供应商器件封装0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 长 x 0.049" 宽(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安装(最大值)0.041"(1.05mm)