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CSD18511Q5A 发布时间 时间:2025/5/6 12:49:32 查看 阅读:9

CSD18511Q5A 是一款由德州仪器(TI)生产的 N 沣道艞 道艗 渠晶体管(N-Channel MOSFET),采用 5 引脚 DSBGA 封装。该器件适用于需要高效率和低功耗的应用场景,例如 DC/DC 转换器、负载开关、电机驱动器以及其他功率管理应用。CSD18511Q5A 具有极低的导通电阻和快速开关性能,能够显著提升系统的整体效率。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:24A
  导通电阻(Rds(on)):1.2mΩ(典型值,Vgs=10V)
  栅极电荷:19nC
  总电容:1780pF
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装类型:DSBGA

特性

CSD18511Q5A 是一种高性能的 MOSFET,具有以下特点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可降低传导损耗并提高系统效率。
  2. 快速开关速度,减少了开关损耗,非常适合高频应用。
  3. 高电流承载能力,支持高达 24A 的连续漏极电流。
  4. 耐热增强型封装设计,有助于改善散热性能。
  5. 宽工作温度范围,能够在极端环境下稳定运行。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且易于集成到现代电子产品中。

应用

CSD18511Q5A 主要用于以下应用场景:
  1. DC/DC 转换器中的功率开关元件。
  2. 各类负载开关,如便携式设备中的电源管理。
  3. 电机驱动电路,提供高效的功率传输。
  4. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流功能。
  5. 电池管理系统(BMS)中的保护和控制功能。
  6. 工业自动化设备中的功率控制模块。

替代型号

CSD18502Q5A, CSD18501Q5A, CSD18503Q5A

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CSD18511Q5A参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥10.57000剪切带(CT)2,500 : ¥4.79379卷带(TR)
  • 系列NexFET?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)159A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)3.5 毫欧 @ 24A,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.45V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)63 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)5850 pF @ 10 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)104W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-VSONP(5x6)
  • 封装/外壳8-PowerTDFN