CSD18511Q5A 是一款由德州仪器(TI)生产的 N 沣道艞 道艗 渠晶体管(N-Channel MOSFET),采用 5 引脚 DSBGA 封装。该器件适用于需要高效率和低功耗的应用场景,例如 DC/DC 转换器、负载开关、电机驱动器以及其他功率管理应用。CSD18511Q5A 具有极低的导通电阻和快速开关性能,能够显著提升系统的整体效率。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:24A
导通电阻(Rds(on)):1.2mΩ(典型值,Vgs=10V)
栅极电荷:19nC
总电容:1780pF
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装类型:DSBGA
CSD18511Q5A 是一种高性能的 MOSFET,具有以下特点:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可降低传导损耗并提高系统效率。
2. 快速开关速度,减少了开关损耗,非常适合高频应用。
3. 高电流承载能力,支持高达 24A 的连续漏极电流。
4. 耐热增强型封装设计,有助于改善散热性能。
5. 宽工作温度范围,能够在极端环境下稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准,环保且易于集成到现代电子产品中。
CSD18511Q5A 主要用于以下应用场景:
1. DC/DC 转换器中的功率开关元件。
2. 各类负载开关,如便携式设备中的电源管理。
3. 电机驱动电路,提供高效的功率传输。
4. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流功能。
5. 电池管理系统(BMS)中的保护和控制功能。
6. 工业自动化设备中的功率控制模块。
CSD18502Q5A, CSD18501Q5A, CSD18503Q5A