时间：2025/12/1 16:18:43
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MLZ2012M100WTD25是一款由ROHM Semiconductor生产的表面贴装齐纳二极管，属于MLZ系列。该器件采用小型2012（0805英制）封装，适用于高密度PCB布局和对空间要求严苛的电子设备中。这款齐纳二极管的主要功能是在电路中提供稳定的参考电压或实现过压保护，其标称齐纳电压为10V，容差为±5%，确保在各种工作条件下都能维持较高的电压稳定性。MLZ2012M100WTD25专为低功耗应用设计，最大功率耗散为200mW，适合用于便携式电子产品、消费类电子设备以及工业控制系统的信号调节与保护电路中。
该器件采用无铅（Pb-free）工艺制造，并符合RoHS环保标准，具备良好的焊接可靠性和长期稳定性。其结构基于硅PN结技术，通过反向击穿特性实现稳定的齐纳电压输出。由于其小尺寸和优异的电气性能，MLZ2012M100WTD25广泛应用于电源管理单元、ADC参考源、ESD保护网络以及各类模拟接口电路中。此外，该型号具有较低的动态阻抗，有助于减少因负载变化引起的输出电压波动，提高系统整体精度。工作温度范围通常覆盖-55°C至+150°C，使其能够在恶劣环境条件下稳定运行，满足工业级和汽车级应用的基本需求。
型号：MLZ2012M100WTD25
制造商：ROHM Semiconductor
封装类型：SOD-962（2012, 0805）
齐纳电压（Vz）：10V（标称值）
电压容差：±5%
测试电流（Iz）：5mA
最大功率耗散（Pz）：200mW
最大反向漏电流（Ir）：1μA（典型值，Vr = 8V）
动态阻抗（Zzt）：25Ω（最大值，f = 1kHz）
工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
引脚数量：2
安装方式：表面贴装（SMD）
MLZ2012M100WTD25齐纳二极管具备多项关键特性，使其在众多表面贴装稳压器件中脱颖而出。首先，其采用超小型SOD-962封装，尺寸仅为2.0mm × 1.2mm × 0.6mm，极大节省了印刷电路板的空间，特别适用于智能手机、可穿戴设备、物联网传感器节点等对体积敏感的应用场景。这种紧凑设计不仅提升了布板灵活性，还支持自动化高速贴片生产，增强了制造效率和产品一致性。
其次，该器件具有精确的电压控制能力，标称齐纳电压为10V，且电压偏差控制在±5%以内，在5mA的标准测试电流下表现出优异的电压稳定性。这一特性使其能够作为可靠的电压参考源，用于模数转换器（ADC）偏置电路、运算放大器反馈网络或电源监控模块中，有效提升系统测量精度和响应一致性。同时，较低的动态阻抗（最大25Ω）意味着在负载瞬变时电压波动更小，提高了稳压性能。
再者，MLZ2012M100WTD25拥有出色的温度稳定性，其电压温度系数经过优化设计，在宽温范围内保持较小的漂移，确保在高温或低温环境下仍能提供稳定的参考电压。这对于需要在工业现场或车载环境中长期运行的设备至关重要。此外，该器件的最大反向漏电流仅为1μA（在8V反向电压下），显著降低了待机模式下的功耗，有利于延长电池供电设备的续航时间。
最后，该齐纳二极管符合RoHS指令并采用无铅焊接兼容结构，支持回流焊工艺，具备良好的热循环耐久性与机械强度。其高达+150°C的最大结温允许其在高温环境中持续工作，适用于部分汽车电子和工业控制系统中的辅助稳压需求。综合来看，MLZ2012M100WTD25是一款高性能、高可靠性的小信号齐纳二极管，兼顾尺寸、精度与环境适应性，是现代电子设计中理想的电压钳位与参考元件选择。
MLZ2012M100WTD25广泛应用于多种电子系统中，主要用于电压参考、电源稳压、信号调理和过压保护等场合。常见应用包括便携式消费电子产品如智能手机、平板电脑和智能手表中的内部电压监测电路；在工业控制系统中用作传感器信号链的基准源；也可集成于电源管理IC外围，提供精确的反馈电压以稳定DC-DC转换器输出；此外，该器件还可用于通信接口（如I2C、SPI）的ESD防护与电平钳位，防止瞬态电压损坏敏感逻辑电路。由于其小尺寸和高可靠性，也常被用于汽车电子中的非动力系统，如车载信息娱乐系统、车身控制模块和仪表盘显示单元中，提供稳定的10V参考电压或实现局部电路保护。
MZ2112-10V
MMSZ4678T1G
BZX84-C10
