时间:2025/11/24 16:16:23
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MLZ2012A3R3WT000是一款由TDK公司生产的多层陶瓷电感(Multilayer Low-Profile Inductor),属于MLZ系列,专为高密度、小型化和高性能的便携式电子设备设计。该器件采用先进的多层制造工艺,将导电螺旋结构嵌入到低温共烧陶瓷(LTCC)基板中,形成一个紧凑且稳定的片式电感元件。其尺寸仅为2.0mm x 1.25mm x 1.0mm(L×W×H),符合EIA标准的0805封装尺寸,适合在空间受限的应用中使用,例如智能手机、可穿戴设备、物联网终端以及各类微型模块电源系统中。MLZ2012A3R3WT000的标称电感值为3.3μH,在直流电阻(DCR)方面表现出色,典型值仅为390mΩ,有助于降低功率损耗并提高整体效率。该电感工作温度范围宽,通常可在-55°C至+125°C之间稳定运行,满足工业级和消费类电子产品的严苛环境要求。此外,该器件具有良好的抗磁干扰能力,不易受邻近元件影响,确保信号完整性与电路稳定性。MLZ2012A3R3WT000主要用于电源管理电路中的噪声抑制、DC-DC转换器的储能元件以及射频前端模块的滤波应用。其无铅、符合RoHS指令的设计也体现了环保理念,适用于现代绿色电子产品制造流程。
产品型号:MLZ2012A3R3WT000
制造商:TDK
系列:MLZ
封装尺寸:2012(EIA 0805)
电感值:3.3μH ±20%
额定电流(Irms):340mA
直流电阻(DCR):390mΩ 最大
自谐振频率(SRF):200MHz 典型
工作温度范围:-55°C 至 +125°C
存储温度范围:-55°C 至 +150°C
焊接方式:回流焊(符合J-STD-020)
磁屏蔽类型:有屏蔽(低漏磁)
特性阻抗匹配:适用于高频去耦与滤波
可靠性:通过高温高湿偏压测试(H3TRB)验证
MLZ2012A3R3WT000具备优异的高频特性和稳定的电感性能,这得益于其采用低温共烧陶瓷(LTCC)技术和内部多层金属化螺旋结构的设计。这种结构不仅实现了小型化,还显著提升了单位体积内的电感密度。由于采用了先进的陶瓷材料和精细的层间对准工艺,该电感在宽频范围内表现出极低的等效串联电阻(ESR),从而有效减少了在高频开关电源中的能量损耗,提高了系统的整体能效。其内置的磁性屏蔽层大幅降低了外部磁场泄漏,避免了对周边敏感电路(如射频接收器或传感器)造成干扰,同时也增强了抗外界电磁干扰的能力,确保在复杂PCB布局下的可靠运行。
该器件具有出色的温度稳定性和长期老化稳定性,即使在极端温度循环条件下也能保持电感值的变化在允许公差范围内。其端电极采用多层结构设计,包括镍阻挡层和锡外镀层,提供了优良的可焊性和耐腐蚀性,适用于自动化贴片生产线,并能在潮湿环境中长期稳定工作。此外,MLZ2012A3R3WT000经过严格的可靠性测试,包括高温高湿偏置(H3TRB)、温度循环(TC)、机械冲击和振动测试,确保在移动设备等动态环境中不会因物理应力导致性能退化或开裂。
在电气特性方面,该电感拥有较高的自谐振频率(SRF约为200MHz),使其能够在GHz以下的频段内作为有效的滤波元件使用,特别适用于DC-DC降压变换器的输出滤波、电源去耦网络以及噪声抑制电路。其较低的直流电阻(DCR)有助于减少I2R损耗,提升电池供电设备的续航能力。同时,由于其非饱和软磁材料特性,在一定范围内的直流偏置下仍能维持较高的电感值,保障电源环路的稳定性。这些综合优势使MLZ2012A3R3WT000成为高端便携式电子产品中不可或缺的关键被动元件之一。
MLZ2012A3R3WT000广泛应用于各类高集成度的便携式电子设备中,尤其适用于对空间占用和功耗控制极为敏感的产品。其主要应用场景包括智能手机和平板电脑中的PMU(电源管理单元)外围电路,用于DC-DC转换器的储能电感,提供稳定高效的电压调节功能。在可穿戴设备如智能手表、TWS耳机中,该电感因其小尺寸和低功耗特性而被用于微型电源模块和音频放大器的滤波电路。此外,它也常见于物联网节点模块、无线传感器网络和蓝牙低功耗(BLE)通信设备中,承担电源去耦和EMI抑制任务,以保证无线信号传输的纯净度和系统稳定性。
在射频前端模块中,MLZ2012A3R3WT000可用于偏置电路的RF扼流,阻止高频信号进入电源线,同时允许直流电流顺利通过,从而实现良好的隔离效果。在高速数字电路中,该电感常被用作电源轨上的π型或L型滤波器组件,配合陶瓷电容构建高效的噪声滤除网络,抑制开关噪声和地弹现象。工业级应用中,该器件可用于小型PLC控制器、医疗监测设备和便携式测量仪器的电源系统,满足宽温域和高可靠性的运行需求。随着电子产品不断向轻薄化发展,MLZ2012A3R3WT000凭借其卓越的综合性能,已成为现代高密度PCB设计中理想的高频片式电感解决方案。
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