您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IXFB210N20P

IXFB210N20P 发布时间 时间:2024/9/25 10:36:34 查看 阅读:498

参数

类别:分离式半导体产品
  家庭:MOSFET,GaNFET-单
  系列:Polar?
  FET型:MOSFET N通道,金属氧化物
  FET特点:标准型
  开态Rds(最大) Id,Vgs 25°C:10.5毫欧 500mA,10V
  漏极至源极电压(Vdss):200V
  电流-连续漏极(Id) 25°C:210A
  Id时的Vgs(th)(最大):4.5V 8mA
  闸电荷(Qg) Vgs:255nC 10V
  在Vds时的输入电容(Ciss):18600pF 25V
  功率-最大:1500W

封装参数

安装类型:通孔
  封装/外壳:3-PLUS264?
  包装:管件

IXFB210N20P推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IXFB210N20P参数

  • 标准包装25
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列Polar™ HiPerFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C210A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C10.5 毫欧 @ 105A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4.5V @ 8mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs255nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds18600pF @ 25V
  • 功率 - 最大1500W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-264-3,TO-264AA
  • 供应商设备封装PLUS264?
  • 包装管件