时间：2025/11/24 11:09:00
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MLZ2012A2R2WT000是一款由TDK公司生产的绕线型片式电感器（Wirewound Chip Inductor），属于MLZ系列。该系列产品专为需要高Q值、低直流电阻和高可靠性的射频（RF）电路应用而设计。MLZ2012A2R2WT000的封装尺寸为2012（公制代码，即2.0mm x 1.25mm），适用于高密度表面贴装技术（SMT），在空间受限的便携式电子设备中具有显著优势。该电感器采用先进的陶瓷基板和精细绕线工艺制造，确保了在高频工作条件下的稳定性能和较低的能量损耗。其主要电气参数包括标称电感值为2.2μH，允许有±5%或±10%的容差选项，具体以型号后缀为准。该器件具备优良的温度稳定性，能够在较宽的工作温度范围内（通常为-40°C至+125°C）保持性能一致性。由于其绕线结构，该电感器能够承受相对较高的额定电流，适合用于滤波、阻抗匹配、LC谐振电路等高频应用场景，尤其是在无线通信模块、蓝牙设备、Wi-Fi模块和射频识别（RFID）系统中被广泛使用。
产品类型：绕线片式电感器
封装尺寸：2012（2.0mm x 1.25mm）
电感值：2.2 μH
电感公差：±5%
直流电阻（DCR）：典型值约90 mΩ
额定电流（Irms）：约320 mA（基于温升标准）
自谐振频率（SRF）：典型值大于100 MHz
工作温度范围：-40°C 至 +125°C
存储温度范围：-40°C 至 +155°C
磁芯材料：陶瓷基复合材料
端子结构：镍/锡镀层，符合RoHS要求
MLZ2012A2R2WT000采用高性能陶瓷基底与精密绕线结构，赋予其卓越的高频响应能力与热稳定性。其核心优势在于高Q值，在典型工作频率下可达到100以上，显著优于同类多层陶瓷电感，有效降低信号传输过程中的能量损耗，提升射频系统的整体效率。这种高Q特性使其特别适用于对选择性和效率要求极高的LC谐振电路与带通滤波器设计中。此外，该电感器具备较低的直流电阻（DCR），有助于减少功率损耗并提高电池供电设备的续航能力，尤其适合应用于移动终端与物联网（IoT）设备中的电源管理与射频前端模块。其机械结构坚固，经过严格的温度循环与耐湿性测试，确保在复杂环境下的长期可靠性。产品符合AEC-Q200车规标准的部分要求，可用于车载信息娱乐系统或传感器模块。电感值在整个工作温度范围内变化极小，表现出优异的温度系数控制能力。同时，其自谐振频率（SRF）较高，保证在数百MHz频段内仍能维持良好的电感行为，避免因接近谐振点而导致的阻抗突变问题。该器件还具备良好的抗电磁干扰（EMI）特性，有助于提升系统EMC性能。所有材料均符合RoHS指令要求，支持无铅回流焊工艺，兼容现代绿色制造流程。
MLZ2012A2R2WT000的2012小型化封装在提供足够电气性能的同时，极大节省了PCB布局空间，满足当前电子产品向轻薄化发展的趋势。其端电极采用多层金属化结构（如Cu/Ni/Sn），增强了焊接强度与耐腐蚀性，降低了虚焊与开裂风险。该电感器在批量生产中具有一致性强、良率高的特点，有利于自动化贴片与大规模量产。TDK为其提供完整的规格书与SPICE模型支持，便于工程师进行电路仿真与设计验证。总体而言，该器件结合了高性能、高可靠性与紧凑尺寸，是中高频模拟与射频电路中理想的电感解决方案。
广泛应用于无线通信设备中的射频匹配网络、蓝牙耳机与模块、Wi-Fi射频前端、智能手机中的功放输出匹配、GPS接收机前端滤波、无线传感器网络节点、可穿戴设备的射频电路、便携式医疗设备、车载无线模块以及各类需要高Q值小体积电感的消费类与工业类电子产品中。
MLZ2012A2R2M, LQM21PN2R2MG0L, DLW21SN2R2SQ5L
