型号：MLK1005S6N8DT
　　品牌：Samsung Electro-Mechanics
　　封装尺寸：1005 (1.0mm x 0.5mm)
　　电感值：6.8nH
　　电感公差：±0.3nH
　　额定电流：50mA
　　直流电阻（DCR）：典型值约350mΩ
　　自谐振频率（SRF）：典型值大于6GHz
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　磁芯类型：陶瓷
　　Q值：在1GHz下典型值约为35
　　温度系数：±30ppm/°C
　　屏蔽类型：非屏蔽（多层陶瓷结构）

MLK1005S6N8DT作为一款高频多层陶瓷电感，其最显著的特性在于其卓越的高频响应能力和稳定的电感性能。该器件采用多层陶瓷共烧技术，在微观结构上实现了高度一致的电极层与介质层堆叠，从而确保了电感值的高度一致性与温度稳定性。其电感值为6.8nH，公差控制在±0.3nH以内，适合对电感精度要求较高的射频匹配网络。在高频工作条件下，该电感展现出较低的插入损耗和较高的品质因数（Q值），在1GHz频率下Q值可达35左右，有效提升射频电路的效率与选择性。
　　该电感的自谐振频率（SRF）通常高于6GHz，意味着其在5G通信、Wi-Fi 5/6（5.8GHz）等高频应用场景中仍能保持良好的电感特性，避免因接近谐振点而导致性能下降。同时，其低直流电阻（DCR）约350mΩ，有助于减少直流功耗，提高电源效率，尤其适用于电池供电的移动设备。
　　MLK1005S6N8DT采用1005小型化封装，体积仅为1.0mm × 0.5mm，极大节省PCB布局空间，满足现代电子产品向轻薄化发展的需求。其结构坚固，能够承受标准回流焊工艺，具备良好的焊接可靠性和机械耐久性。工作温度范围宽达-40°C至+125°C，可在恶劣环境下稳定运行，适用于工业级与消费级多种应用场景。
　　此外，该器件无磁芯饱和问题，线性度优异，适合用于高线性要求的射频前端电路。其非屏蔽结构虽可能引入轻微电磁干扰，但在合理布局下不影响整体系统性能，且有助于降低制造成本与重量。综合来看，MLK1005S6N8DT凭借其高频性能、微型尺寸与高可靠性，成为高频模拟与射频电路设计中的理想选择。

MLK1005S6N8DT主要应用于高频电子系统中，尤其是在射频（RF）电路领域发挥关键作用。其典型应用场景包括智能手机中的射频前端模块（RF Front-End Module），用于功率放大器（PA）输出匹配、天线调谐网络以及双工器中的阻抗匹配电路。在这些应用中，该电感负责优化信号传输效率，提升发射功率与接收灵敏度，从而增强无线通信质量。
　　此外，该器件广泛用于各类无线通信模块，如Wi-Fi 6（802.11ax）、蓝牙5.0及以上版本、Zigbee和NFC等短距离通信系统中，作为LC滤波器、π型匹配网络或谐振电路的核心元件。其高Q值和低损耗特性有助于提升系统的信噪比和频率选择性，确保数据传输的稳定性与速率。
　　在5G毫米波和sub-6GHz频段设备中，MLK1005S6N8DT也常被用于射频收发链路中的偏置馈电电感（RF Choke），用于隔离直流偏置与射频信号，防止射频能量泄漏至电源网络。同时，它也可用于射频放大器的级间耦合与去耦电路，提升增益与稳定性。
　　除通信设备外，该电感还适用于无线耳机、智能手表、物联网（IoT）传感器节点等便携式电子产品，满足其对小型化与低功耗的双重需求。在测试测量仪器、射频识别（RFID）读写器以及汽车无线钥匙系统中，MLK1005S6N8DT同样表现出良好的适应性与可靠性，是现代高频电子系统中不可或缺的基础元件之一。

LQM15AN6N8NT0D
　　LL1005S6N8ST
　　DLW1005S6N8D