MLH250BSD01B 是一款由 Melexis 公司设计的线性霍尔效应传感器集成电路,专门用于高精度的磁场测量和位置检测应用。该器件基于霍尔效应原理,能够将磁场强度转换为相应的模拟电压输出。MLH250BSD01B 采用了先进的 BiCMOS 工艺制造,具备高灵敏度、低噪声以及良好的温度稳定性,适用于汽车、工业自动化和消费电子等多个领域。
工作电压:4.5V 至 5.5V
输出类型:模拟电压输出
灵敏度:2.5 mV/G(典型值)
工作温度范围:-40°C 至 +150°C
封装类型:SOIC-8
电源电流:10 mA(典型值)
磁偏移:±1.5 mT(最大值)
响应时间:10 μs(典型值)
MLH250BSD01B 的核心优势在于其卓越的线性度和温度稳定性,能够在广泛的温度范围内提供高精度的磁场测量结果。该器件内部集成了偏移校正电路,有效降低了由于制造工艺带来的初始偏移误差,提高了传感器的测量准确性。
此外,MLH250BSD01B 还具备较强的抗干扰能力,能够在复杂的电磁环境中稳定工作。其低噪声设计确保了在微弱磁场检测中的高分辨率,适用于精密控制系统中的位置和角度检测应用。
MLH250BSD01B 被广泛应用于汽车电子系统中,例如电动助力转向系统(EPS)、节气门位置检测、油门踏板位置检测以及无刷直流电机的转子位置检测等。在工业自动化领域,该器件可用于机器人关节位置检测、伺服电机控制以及工业阀门的开度检测等场景。
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"MLX90248LDC-ABD-000RE",
"DRV5053VA-Q1",
"SS495A"
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