您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > MLF2012DR33KT

MLF2012DR33KT 发布时间 时间:2025/12/5 21:37:10 查看 阅读:51

MLF2012DR33KT是一款由Vishay Dale生产的表面贴装功率电感器,属于MLF系列。该系列产品专为高电流、低高度应用而设计,采用模塑铁氧体磁芯结构,具有优异的磁屏蔽性能和高可靠性。MLF2012DR33KT的尺寸符合EIA 2012封装标准(约2.0mm x 1.25mm),适合在空间受限的印刷电路板上使用。这款电感器主要应用于便携式电子设备中的直流-直流转换器、电源管理模块以及各种需要高效能储能元件的场合。
  MLF2012DR33KT的标称电感值为330nH(0.33μH),允许有±10%的容差范围,确保了在批量生产中的一致性和稳定性。其结构设计有效减少了电磁干扰(EMI),有助于满足电磁兼容性(EMC)要求。此外,该器件具备良好的温度稳定性和机械强度,能够在恶劣的工作环境中保持性能稳定,适用于工业控制、消费类电子产品和通信设备等多种领域。

参数

产品系列:MLF
  封装类型:2012(EIA)
  电感值:330nH
  容差:±10%
  额定电流(Irms):2.8A
  直流电阻(DCR)典型值:68mΩ
  饱和电流(Isat):3.5A(下降30%)
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  最大高度:1.0mm
  核心材料:铁氧体
  屏蔽类型:模压磁屏蔽
  端子材料:铜合金镀锡

特性

MLF2012DR33KT采用先进的模塑铁氧体磁芯技术,提供出色的磁屏蔽效果,显著降低外围元件受到的电磁干扰,从而提升系统整体的EMI性能。这种结构不仅提高了电感器自身的抗干扰能力,也使其更适合用于高频开关电源中,如降压(Buck)、升压(Boost)或反激式转换器等拓扑结构。其低直流电阻(DCR)仅为68mΩ左右,有助于减少导通损耗,提高电源转换效率,特别适用于对能效要求较高的电池供电设备。
  该电感器具有较高的饱和电流(Isat = 3.5A)和温升电流(Irms = 2.8A),意味着它可以在较大负载下持续工作而不发生磁芯饱和或过热问题。这对于需要瞬态大电流响应的应用非常重要,例如处理器供电、LED驱动或无线充电模块。同时,其紧凑的2012封装尺寸配合仅1.0mm的最大高度,使得MLF2012DR33KT非常适合超薄化、高密度布局的设计需求,广泛应用于智能手机、可穿戴设备和平板电脑等移动终端。
  MLF2012DR33KT还具备优良的温度稳定性,在-40°C至+125°C的宽温度范围内仍能维持稳定的电感性能。其端子采用铜合金并镀以锡层,增强了焊接可靠性和耐腐蚀能力,支持回流焊工艺,适应现代SMT自动化生产线。整体结构坚固,抗震性强,可在严苛环境下长期稳定运行。

应用

适用于便携式电子产品的DC-DC转换器电路,如手机、平板电脑和智能手表中的电源管理单元;
  用于电池供电系统的电压调节模块,提供高效的能量存储与转换;
  应用于LED背光驱动和照明电源中的滤波与储能环节;
  作为射频功率放大器偏置电路中的射频扼流圈使用;
  适用于工业传感器、IoT设备和无线充电接收端的电源路径设计;
  在汽车电子中的非动力系统(如信息娱乐系统)中用于噪声抑制和电源去耦。

替代型号

SLF2012T330MR50|XAL2010330MEVR|NR2012T330M

MLF2012DR33KT推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

MLF2012DR33KT参数

  • 制造商:TDK
  • 产品种类:RF 电感器
  • RoHS:详细信息
  • 电感:330 nH
  • 容差:10 %
  • 最大直流电流:250 mAmps
  • 最大直流电阻:0.55 Ohms
  • 自谐振频率:145 MHz
  • Q 最小值:20
  • 工作温度范围:- 25 C to + 85 C
  • 端接类型:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:2012
  • 芯体材料:Ferrite
  • 尺寸:1.25 mm W x 2 mm L x 0.85 mm H
  • 封装:Reel
  • 串联:MLF
  • 屏蔽:Shielded
  • 工厂包装数量:4000.0
  • 零件号别名:MLF2012DR33K