型号：MLF1608E100KT000
　　品牌：TDK/EPCOS
　　封装尺寸：1608（1.6mm x 0.8mm）
　　电容值：10pF
　　容差：±10%
　　介质材料：C0G（NP0）
　　额定电压：50V DC
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　温度系数：0 ±30ppm/°C
　　绝缘电阻：≥10000MΩ 或 RC ≥ 500S（取较小值）
　　等效串联电阻（ESR）：极低
　　介质损耗（tanδ）：≤0.15%
　　结构：多层陶瓷电容器（MLCC）
　　端接类型：镍阻挡层/锡镀层（Ni-Sn）
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　符合标准：RoHS、AEC-Q200（适用于汽车级应用）

MLF1608E100KT000所采用的C0G（也称为NP0）陶瓷介质是目前最稳定的电容器介质之一，具备近乎理想的温度稳定性和频率响应特性。这种介质的温度系数为0±30ppm/°C，在整个工作温度范围内电容值几乎不随温度变化，确保了在极端环境条件下仍能维持精准的电容性能。这一特性使其成为高频谐振电路、射频匹配网络和精密定时应用中的首选元件。相比X7R、Y5V等高介电常数但温度稳定性较差的介质，C0G材质虽然容量密度较低，但其卓越的稳定性无可替代。
　　该电容器具有非常低的介质损耗（tanδ ≤ 0.15%），意味着在高频工作时能量损耗极小，发热少，效率高，特别适合用于LC滤波器、PLL环路滤波器、晶体振荡器和高频放大器等对噪声敏感的应用场景。同时，其等效串联电阻（ESR）极低，有助于减少交流电流通过时的功率损耗，提高系统的整体效率，并增强电源去耦和信号耦合的效果。
　　MLF1608E100KT000的设计满足AEC-Q200汽车电子元器件可靠性测试标准，具备良好的抗湿性、耐热冲击能力和机械强度，能够承受多次回流焊过程而不损坏。其端电极采用镍阻挡层和锡镀层结构，提供了优良的可焊性和长期可靠性，防止银离子迁移问题。此外，该器件无压电效应，不会因机械振动产生噪声信号，适用于高保真音频和精密模拟电路。
　　由于其小型化封装（1608）和高性能表现，MLF1608E100KT000非常适合空间受限的便携式设备，如智能手机、无线模块、蓝牙耳机、Wi-Fi路由器以及车载信息娱乐系统等。它还能在高温环境中长期稳定运行，因此也被广泛应用于工业控制、医疗设备和航空航天领域。

MLF1608E100KT000因其优异的电气特性和环境适应性，被广泛应用于多个高科技领域。在射频（RF）电路中，它常用于阻抗匹配网络，以优化天线、功率放大器和滤波器之间的信号传输效率，提升无线通信质量。由于其电容值高度稳定且不受温度影响，因此在压控振荡器（VCO）、锁相环（PLL）和晶体振荡器电路中作为关键旁路或调谐电容使用，确保频率输出的精确性和长期稳定性。
　　在高速数字系统中，该电容器可用于高频去耦，消除电源线上的噪声和尖峰电压，保障微处理器、FPGA和ASIC等核心芯片的稳定运行。尽管10pF的容量较小，但在GHz级别的信号路径中，它可以有效地滤除高频干扰，改善信号完整性。此外，在模拟前端（AFE）和数据转换器（ADC/DAC）的参考电压旁路应用中，也能发挥重要作用。
　　在汽车电子方面，该器件符合AEC-Q200标准，适用于车载导航、雷达传感器、远程信息处理系统和高级驾驶辅助系统（ADAS）中的滤波与耦合电路。其宽温工作能力和高可靠性确保在发动机舱或外部恶劣环境下依然可靠运行。
　　工业自动化设备、医疗成像系统、测试测量仪器等对精度要求极高的设备也普遍采用此类高性能MLCC。例如，在精密电源管理电路或高频信号调理模块中，MLF1608E100KT000可以提供稳定的电容支持，避免因电容漂移导致系统误差。此外，消费类电子产品如高端智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，该电容器用于射频前端模块和Wi-Fi/BT共存滤波设计，提升无线连接性能。

GRM1555C1H100JA01D
　　CC0603JRNPO9BN100
　　C1608X5R1H104K080AB
　　CL21A100JBANNNC