MRF221是一款广泛应用于射频(RF)功率放大器设计中的双极型晶体管(BJT),由安森美半导体(ON Semiconductor)制造。该器件设计用于在高频应用中提供高功率增益和良好的线性度,适用于通信设备、广播发射机、工业加热设备以及测试和测量仪器。MRF221具有高击穿电压、低失真和高可靠性等特点,能够在VHF到UHF频段内提供出色的性能。
类型:双极型晶体管(BJT)
封装类型:金属封装(TO-220AB)
晶体管极性:NPN
最大集电极电流:15A
最大集电极-发射极电压:60V
最大集电极-基极电压:75V
最大功耗:150W
工作温度范围:-65°C 至 +150°C
增益(hFE):典型值 40-120
过渡频率(fT):约100MHz
MRF221具有出色的高频性能和高功率处理能力,使其成为许多射频放大器应用的首选晶体管之一。其主要特性包括:
1. 高功率处理能力:MRF221的最大集电极电流可达15A,最大功耗为150W,能够承受高功率操作下的热应力,适用于大功率射频放大器设计。
2. 高击穿电压:集电极-发射极击穿电压为60V,集电极-基极击穿电压为75V,提供了更高的工作电压裕度,增强了在高压环境下的可靠性。
3. 优良的线性度:该晶体管在线性放大模式下表现出良好的失真特性,适用于需要高保真度信号放大的应用,如通信发射机和音频放大器。
4. 高增益:其hFE值在典型工作条件下为40至120,提供了良好的信号放大能力,减少了对外部驱动级的要求。
5. 宽频带操作:MRF221的过渡频率(fT)约为100MHz,使其在VHF到UHF频段内都能保持良好的性能,适用于多种射频和音频放大应用。
6. 热稳定性:金属封装(TO-220AB)具有良好的散热性能,有助于提高器件在高功率工作时的热稳定性,延长使用寿命。
7. 高可靠性:该晶体管设计用于工业和通信应用,能够在严苛环境下长期稳定工作。
MRF221广泛应用于各种高功率射频和音频放大器的设计中。常见的应用包括:
1. 射频功率放大器:用于通信设备、广播发射机、无线基础设施等,作为主功率放大级或驱动放大器。
2. 音频放大器:用于高保真音响系统、舞台音响设备、吉他放大器等,提供高保真音频输出。
3. 工业加热设备:作为高频电源的功率放大元件,用于感应加热、焊接和热处理等应用。
4. 测试和测量仪器:用于信号发生器、频谱分析仪、功率计等设备中,提供稳定的射频信号放大。
5. 电力电子变换器:用于DC-AC逆变器、开关电源等,作为高频功率开关元件。
MRF222、MRF224、MRF225、MRF228、2N5179、2N6123