产品类型：多层铁氧体电感
　　尺寸（公制）：1608
　　尺寸（英制）：0603
　　标称阻抗（100MHz）：82Ω
　　额定电流：250mA
　　直流电阻（DCR）：典型值1.2Ω，最大值1.4Ω
　　工作温度范围：-55℃ ~ +125℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　焊接温度：260℃（最大，10秒）
　　电感频率测试条件：100MHz, 0.1Vrms
　　磁芯材料：镍锌铁氧体（NiZn Ferrite）
　　端子结构：镍/锡镀层
　　包装形式：卷带编带，每盘4000只

MLF1608DR82KT的核心特性在于其基于多层陶瓷与铁氧体共烧技术实现的高频噪声抑制能力。该器件采用镍锌铁氧体（NiZn）作为磁芯材料，这种材料在高频段（如30MHz至1GHz）表现出优异的磁导率和电阻率特性，能有效将高频噪声转化为热能进行耗散，从而实现对电磁干扰的有效抑制。其多层结构通过内部交替堆叠的导体与铁氧体介质层构成，显著提升了单位体积内的阻抗密度，在仅1.6mm×0.8mm的微小封装内实现了82Ω的高阻抗水平，特别适用于空间受限的高集成度电路设计。
　　该器件的直流电阻较低，典型值为1.2Ω，确保在通过正常工作电流时不会产生明显的电压降或功率损耗，从而保障系统的效率与稳定性。同时，其额定电流可达250mA，足以满足大多数射频前端模块、蓝牙/Wi-Fi模块、传感器接口等低功耗电路的供电需求。此外，MLF1608DR82KT具备出色的温度稳定性，在-55℃至+125℃的宽温范围内阻抗变化较小，保证了极端环境下的可靠运行。
　　在工艺方面，该元件采用表面贴装技术（SMT）兼容的端子结构，外层为镍/锡双层镀膜，具有良好的可焊性和耐腐蚀性，支持回流焊和波峰焊等多种焊接方式。其机械强度高，抗热冲击能力强，能够经受多次温度循环而不出现开裂或脱层现象。产品符合RoHS环保标准，无铅且不含卤素，符合现代绿色电子产品的发展趋势。整体来看，MLF1608DR82KT是一款专为高频噪声滤除优化的小型化、高性能铁氧体磁珠，兼具功能性和可靠性，适用于严苛的工业与消费类电子应用场景。

MLF1608DR82KT广泛应用于各类需要抑制高频噪声的电子系统中，尤其常见于移动通信设备的射频前端电路，用于隔离PA（功率放大器）、LNA（低噪声放大器）与其他数字电路之间的干扰。在智能手机和平板电脑中，它常被部署在USB、HDMI、MIPI等高速数据线路中，以减少串扰和辐射发射，提升信号完整性。此外，该器件也适用于Wi-Fi、蓝牙、Zigbee等无线模块的电源去耦和信号滤波，防止射频信号反向耦合进入电源网络造成系统不稳定。
　　在数字逻辑电路中，MLF1608DR82KT可用于时钟线路、复位线路或I/O接口的滤波处理，降低开关噪声对敏感模拟电路的影响。在嵌入式系统和物联网节点中，由于其小型化特点，非常适合用于电池供电设备的电源路径上，实现对DC-DC转换器或LDO输出端的高频纹波抑制，提高系统信噪比与电磁兼容性（EMC）表现。工业控制设备、医疗电子仪器以及汽车电子模块（如车载信息娱乐系统）中也有广泛应用，用以满足严格的EMI法规要求，例如FCC Part 15或CISPR 22标准。总之，任何需要在有限空间内实现高效高频滤波的场合，都是MLF1608DR82KT的理想选择。

BLM18PG820SN1
　　BLM18AG820SN1
　　DLW21SN820SQ2L
　　ACM4320-820-TG00
　　CMF1608A820T