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MLF1608DR15KT 发布时间 时间:2025/12/25 9:38:01 查看 阅读:13

MLF1608DR15KT是一款由TDK公司生产的多层铁氧体芯片磁珠,属于MLF系列,专为高频噪声抑制设计。该器件采用0603(1608公制)封装尺寸,具有小型化、轻量化的特点,非常适合在空间受限的便携式电子设备中使用。其主要功能是通过在高频下呈现高阻抗特性来抑制电磁干扰(EMI)和射频干扰(RFI),从而提升系统的电磁兼容性(EMC)。MLF1608DR15KT的标称阻抗为15Ω(在100MHz测试条件下),适用于电源线、信号线以及数据线路中的噪声滤波。该磁珠采用表面贴装技术(SMT)进行安装,具备良好的焊接可靠性和自动化生产兼容性。其内部结构由多层镍锌(NiZn)铁氧体材料构成,能够在较宽的频率范围内提供稳定的阻抗性能。此外,该器件具有较低的直流电阻(DCR),有助于减少功率损耗并提高能效,特别适合用于低电压、低功耗的数字电路系统,如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和物联网终端等。
  MLF1608DR15KT的工作温度范围通常为-55°C至+125°C,能够适应严苛的环境条件,确保在高温或低温环境下仍保持稳定的电气性能。该产品符合RoHS环保要求,并且不含卤素,满足现代电子产品对绿色环保材料的需求。由于其优异的高频特性和紧凑的封装尺寸,MLF1608DR15KT被广泛应用于高速数字接口、时钟线路、射频模块和电源去耦等场景。通过合理布局和搭配外部电容,可以构建高效的π型或L型滤波网络,进一步增强噪声抑制能力。总体而言,这款磁珠是一款高性能、高可靠性的EMI抑制元件,适用于各种需要精密噪声管理的电子系统设计中。

参数

型号:MLF1608DR15KT
  品牌:TDK
  封装尺寸:0603(1608公制)
  阻抗(100MHz):15Ω
  直流电阻(DCR):0.32Ω(最大值)
  额定电流:500mA
  工作温度范围:-55°C ~ +125°C
  材质:镍锌(NiZn)铁氧体
  安装方式:表面贴装(SMT)
  产品类别:EMI滤波磁珠
  RoHS合规:是
  无卤素:是

特性

MLF1608DR15KT磁珠的核心特性之一是其在高频下的优异阻抗表现。该器件在100MHz时提供15Ω的标称阻抗,能够在广泛的频率范围内有效吸收和衰减高频噪声,尤其适用于抑制开关电源、数字逻辑电路和射频电路中产生的电磁干扰。其内部采用多层镍锌铁氧体结构,这种材料具有较高的电阻率和磁导率,能够在不影响信号完整性的情况下实现高效的能量耗散。与锰锌(MnZn)铁氧体相比,镍锌铁氧体更适合在1MHz以上频率工作,因此MLF1608DR15KT特别适用于GHz级别的高速信号路径中的噪声滤波。
  另一个关键特性是其低直流电阻(DCR),最大仅为0.32Ω,这显著降低了在大电流通过时的功率损耗和温升问题,提高了整体系统的能效。对于电池供电设备而言,这一特性尤为重要,因为它有助于延长续航时间并减少热管理负担。同时,该磁珠支持高达500mA的额定电流,足以满足大多数低功耗IC的供电需求,例如微控制器、传感器、无线通信模块等的电源去耦应用。
  该器件采用0603小型封装,尺寸仅为1.6mm × 0.8mm × 0.8mm,非常适合高密度PCB布局,尤其适用于智能手机、TWS耳机、智能手表等空间受限的产品。其表面贴装设计便于自动化贴片工艺,提升了生产效率和良品率。此外,MLF1608DR15KT具备良好的温度稳定性,在-55°C至+125°C的宽温范围内仍能保持可靠的电气性能,适用于工业级和汽车电子应用场景。
  从可靠性角度看,该产品符合AEC-Q200标准(部分型号),并通过了严格的耐湿性、热冲击和机械强度测试,确保长期运行的稳定性。其无铅、无卤素的设计也符合现代环保法规要求,适用于出口型电子产品。综合来看,MLF1608DR15KT凭借其高频性能、低损耗、小尺寸和高可靠性,成为现代电子系统中不可或缺的EMI抑制元件。

应用

MLF1608DR15KT广泛应用于各类消费类电子、通信设备和嵌入式系统中,主要用于电源线和信号线的电磁干扰(EMI)抑制。在移动设备如智能手机和平板电脑中,它常被用于处理器核心电源、内存供电轨以及摄像头模组的电源去耦,以防止高频噪声通过电源网络传播影响其他敏感电路。此外,在USB、I2C、SPI等数字接口线上,该磁珠可用于滤除高速切换带来的射频噪声,提升信号完整性和系统抗干扰能力。
  在无线通信模块中,如Wi-Fi、蓝牙、NFC和蜂窝网络模块,MLF1608DR15KT可用于隔离射频前端与数字基带之间的噪声耦合,避免相互干扰导致通信质量下降。在可穿戴设备中,由于空间极为有限且对功耗敏感,该器件的小尺寸和低DCR优势尤为突出,适合用于心率传感器、加速度计等低功耗传感器的供电滤波。
  工业控制和汽车电子领域也广泛应用此类磁珠。例如,在车载信息娱乐系统或ADAS传感器模块中,MLF1608DR15KT可用于抑制来自DC-DC转换器的开关噪声,保护模拟信号链路的精度。在物联网终端设备中,该磁珠有助于通过EMC认证测试,确保产品在复杂电磁环境中稳定运行。总之,凡是需要在不牺牲信号质量的前提下抑制高频噪声的场合,MLF1608DR15KT都是一个理想的选择。

替代型号

BLM18AG150SN1D
  BLM18PG150SN1D
  DLW21HN150XK2
  ACMF1608-150-T000
  CMF1608Y150T

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MLF1608DR15KT参数

  • 制造商:TDK
  • 产品种类:RF 电感器
  • RoHS:详细信息
  • 电感:150 nH
  • 容差:10 %
  • 最大直流电流:50 mAmps
  • 最大直流电阻:0.6 Ohms
  • 自谐振频率:180 MHz
  • Q 最小值:15
  • 工作温度范围:- 25 C to + 85 C
  • 端接类型:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:1608
  • 芯体材料:Ferrite
  • 尺寸:0.8 mm W x 1.6 mm L x 0.8 mm H
  • 封装:Reel
  • 串联:MLF
  • 屏蔽:Shielded
  • Standard Pack Qty:4000.0
  • 零件号别名:MLF1608DR15K