时间：2025/7/8 22:57:08
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MLD2N06CLT4G 是一款基于沟槽技术的 N 沟道逻辑 级功率 MOSFET，专为低电压应用设计。其优化的芯片结构使其具备超低导通电阻和极小的栅极电荷，非常适合高频开关应用。该器件采用了 TO-252 封装形式，能够提供出色的散热性能和电气特性。
型号：MLD2N06CLT4G
封装：TO-252
VDS（漏源极击穿电压）：60V
RDS(on)（导通电阻）：0.035Ω
IDS（连续漏极电流）：17A
VGSS（栅源极电压）：±20V
功耗：125W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
MLD2N06CLT4G 的主要特性包括超低的导通电阻 (RDS(on)) 和优化的开关性能，这使得它在高频应用中具有更高的效率和更低的损耗。
该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，可以有效减少开关损耗并提高系统可靠性。
此外，它还具有出色的热稳定性和电气稳定性，能够在高温环境下长时间工作而不影响性能。
由于其逻辑级输入兼容性，可以直接与标准逻辑电路配合使用，无需额外的驱动电路。
该器件的高电流承载能力和快速开关速度使其成为许多工业和消费类电子产品的理想选择。
MLD2N06CLT4G 广泛应用于各类需要高效功率转换和开关控制的场合，例如直流-直流转换器、电机驱动、负载开关、电池保护电路以及太阳能逆变器等。
它的高频开关特性和低导通电阻使其特别适合于便携式设备、笔记本电脑适配器、LED 驱动器和汽车电子系统中的功率管理模块。
此外，由于其逻辑级输入特性，也常用于各种微控制器或数字信号处理器 (DSP) 控制的功率开关电路中。
MLD2N06CT4G, MLD2N06DLT4G
