时间:2025/12/26 11:38:13
阅读:15
ML61N202MRG是一款由东芝(Toshiba)推出的低功耗CMOS逻辑集成电路,属于其广泛的标准逻辑器件产品线之一。该器件为双通道、双输入的施密特触发器NAND门(Schmitt Trigger NAND Gate),采用微型封装设计,适用于需要高噪声容限和信号整形功能的数字电路系统中。ML61N202MRG特别针对便携式电子设备、消费类电子产品以及工业控制应用进行了优化,具备出色的抗干扰能力和稳定的电气性能。该芯片在输入端集成了施密特触发器功能,能够有效处理缓慢变化或存在噪声的输入信号,通过正反馈机制实现输入信号的“迟滞”特性,从而避免输出端因输入波动而产生误触发。此外,该器件采用先进的CMOS工艺制造,在保证高速响应的同时实现了极低的静态电流消耗,适合电池供电的应用场景。其工作电压范围较宽,通常支持1.65V至5.5V的电源电压,使其能够在多种供电环境下稳定运行。ML61N202MRG采用超小型封装(如USV或者SOT-353等),节省PCB空间,非常适合高密度布局的现代电子设备。
型号:ML61N202MRG
制造商:东芝(Toshiba)
逻辑功能:双路2输入施密特触发NAND门
电源电压范围:1.65V 至 5.5V
静态电流(ICC):典型值0.1μA(最大1μA)
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
输出驱动能力:±4mA @ VDD=5V
传播延迟时间(tpd):典型值15ns(VDD=5V)
封装类型:USV (SOT-353) 或类似微型封装
输入耐压:可承受最高6.5V输入电压(输入钳位二极管支持)
输入迟滞电压:典型值约200mV(随VDD变化)
低电平输入电压(VIL):0.3×VDD
高电平输入电压(VIH):0.7×VDD
ML61N202MRG的核心特性之一是其内置的施密特触发器输入结构,这种设计赋予了每个输入端口明显的迟滞电压特性,即上升阈值电压与下降阈值电压之间存在一定差值(典型值约为200mV)。这一特性使得器件对缓慢上升或下降的输入信号具有良好的适应能力,能够在诸如按键去抖、模拟信号数字化、传感器信号调理等应用场景中有效防止因信号边沿不清晰而导致的多次翻转问题。由于采用了CMOS技术,该芯片在静态状态下几乎不消耗电流,极大地延长了电池供电系统的使用寿命。同时,其宽电压工作范围允许其在1.8V、3.3V或5V逻辑系统中灵活使用,兼容多种主流数字接口标准。该器件还具备较强的输出驱动能力,在5V供电下可提供±4mA的拉电流/灌电流能力,足以直接驱动LED或后续逻辑级。此外,输入端支持高达6.5V的电压耐受能力,即使在5V系统中接入更高电压信号也不会造成损坏,提升了系统的鲁棒性。芯片内部集成输入钳位二极管和静电放电(ESD)保护结构,增强了对瞬态干扰和人为操作带来的静电冲击的抵御能力。微型封装形式不仅节省空间,而且便于自动化贴装,适用于智能手机、可穿戴设备、IoT终端等对体积敏感的产品。
另一个关键优势是其高噪声抑制能力。传统的逻辑门对输入噪声极为敏感,尤其当输入信号处于阈值附近时容易引发振荡。而施密特触发器通过引入正反馈机制,确保只有当输入电压明确越过高阈值时才触发状态转换,并且必须下降到较低阈值才会再次翻回,从而形成一个“迟滞窗口”,显著提高了抗共模噪声和串扰的能力。这种特性在长线传输、开关信号采集和环境恶劣的工业现场尤为关键。此外,该器件在整个工作温度范围内(-40°C至+85°C)均能保持稳定的电气性能,符合工业级应用要求。东芝对该系列器件进行了严格的可靠性测试,包括高温老化、热循环和湿度敏感度等级评估,确保其在各种严苛条件下长期稳定运行。
ML61N202MRG广泛应用于各类需要信号整形和噪声抑制的数字电路中。常见用途包括机械开关或按钮的去抖动电路,利用其施密特触发特性将不稳定的机械接触信号转化为干净的数字脉冲,避免微控制器接收到虚假中断。在传感器接口电路中,该器件可用于将缓慢变化的模拟信号(如来自光敏电阻、热敏电阻或电位器的电压)转换为数字开关信号,实现简单的模数判别功能,常用于自动照明控制、温控开关等场景。此外,它也可作为振荡器构建元件,配合外部RC网络构成弛张振荡器,用于产生低频时钟或定时脉冲。在通信线路中,可用于对受到衰减或畸变的数字信号进行再生整形,恢复信号完整性。由于其低功耗特性,该芯片非常适合嵌入式系统、便携式医疗设备、智能家居节点、无线传感网络终端等依赖电池长时间运行的设备。在工业控制领域,可用于PLC输入模块的信号预处理,提升系统抗干扰能力。同时,因其小尺寸封装,也常被用于空间受限的高密度PCB设计中,如TWS耳机、智能手表、RFID标签读写器等消费电子产品。
TC7S132F, NL1SZ132, SN74LVC1G132, NXP74LVC1G132