电容：5600pF
　　容差：±20%
　　额定电压：50V DC
　　温度特性：X7R（-55°C 至 +125°C，±15%）
　　封装尺寸：0805（2.0mm x 1.2mm）
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　介质材料：陶瓷（X7R）
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　长度：2.0mm
　　宽度：1.2mm
　　高度：≤1.25mm
　　ESR：低
　　RoHS 状态：符合
　　电容频率特性：适用于中高频应用

ML414PJB562MLZ 采用 X7R 类型的陶瓷介质材料，具备优异的温度稳定性与电容保持率，在 -55°C 到 +125°C 的整个工作温度范围内，电容值的变化不超过 ±15%，这使得它非常适合用于对稳定性有一定要求但又不需要 NP0/C0G 级别超高精度的应用场景。
　　该电容器具有较高的体积效率，能够在较小的 0805 封装内实现 5.6nF 的电容值和 50V 的耐压能力，显著节省印刷电路板空间，同时支持高密度布局设计。其多层结构设计不仅提升了机械强度，还有效降低了等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），从而增强了在高频信号路径中的去耦和噪声抑制能力。
　　由于采用了先进的叠层制造工艺，ML414PJB562MLZ 在不同电压偏置下的电容衰减相对较小，相较于某些 Y5V 或 Z5U 材质的 MLCC 表现更为稳定。这一特性使其广泛应用于电源轨旁路、DC-DC 转换器输入/输出滤波、时钟线路去噪以及模拟前端信号耦合等关键节点。
　　此外，该器件通过了严格的可靠性测试，包括高温高湿反向偏压（H3TRB）、温度循环（TCT）和可焊性评估，确保在恶劣环境下的长期运行稳定性。AVX 作为全球领先的被动元件制造商，其生产工艺遵循 IATF 16949 和 ISO 9001 质量管理体系，进一步保障了产品的一致性和可靠性。ML414PJB562MLZ 还具备良好的抗热冲击性能，能够承受回流焊过程中的多次热循环而不影响内部结构完整性，适用于无铅焊接工艺。

该电容器常用于各类需要中等电容值和中高压等级的电子系统中，典型应用场景包括便携式消费电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理模块；在工业控制系统中，用于 PLC 模块、传感器接口和电机驱动器的滤波电路；在通信基础设施设备如基站、光模块和路由器中，作为 RF 放大器偏置网络或高速数据线路上的交流耦合元件；在汽车电子领域，可用于车身控制模块、信息娱乐系统和 ADAS 摄像头电源滤波，因其工作温度范围宽且符合 AEC-Q200 标准的部分等级要求（需确认具体批次是否通过认证）。此外，该器件也适用于医疗仪器、测试测量设备和工业电源中的去耦与瞬态抑制电路，提供稳定可靠的电性能表现。

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　　 "GRM21BR71H562KA01L",
　　 "C0805X562K5RACTU",
　　 "CL21A562MP5NNNC",
　　 "ECJ-FA5X7R50V562M"
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