时间：2025/6/11 14:09:26
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WFP4N60是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等领域。它具有高击穿电压、低导通电阻和快速开关速度的特点，适用于需要高效能和高可靠性的电路设计。
该器件采用TO-252封装形式，适合表面贴装工艺，同时具备良好的散热性能，能够在高温环境下稳定工作。
最大漏源电压：600V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：4.3A
导通电阻（典型值）：7.5Ω
总功耗：190mW
工作结温范围：-55℃至+150℃
1. 高耐压能力，可承受高达600V的漏源电压。
2. 低导通电阻，有效降低功率损耗，提高效率。
3. 快速开关特性，适合高频应用场合。
4. 具备出色的抗雪崩能力，确保在异常条件下也能正常工作。
5. 小型化表面贴装封装，简化PCB布局并节省空间。
6. 符合RoHS标准，环保且满足国际规范要求。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
2. DC-DC转换器中的同步整流管。
3. 电机驱动电路中的功率开关。
4. 逆变器及不间断电源(UPS)系统。
5. 各类工业控制设备中的功率管理模块。
6. 消费类电子产品中的负载切换开关。
IRFZ44N
FDP15U60E
STP4NB60
IXYS: IXFN48N60T2
