类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：100V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大漏极电流（Id）：12A
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值0.35Ω（最大0.45Ω）
　　功率耗散（Ptot）：40W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220

ML12N100具备多个关键特性，确保其在各种应用中的可靠性和高效性。
　　首先，其高耐压能力（100V Vds）使得该器件适用于中高压电源系统，如DC-DC转换器、UPS系统和电机控制器。此外，12A的最大漏极电流能力使其能够驱动较大的负载，适用于高功率应用。
　　其次，该MOSFET具有较低的导通电阻，典型值为0.35Ω，这有助于减少导通损耗，提高系统效率。低Rds(on)还能降低发热，延长器件寿命，并减少散热器的尺寸和成本。
　　其封装形式为TO-220，具备良好的散热性能和机械强度，适合在各种电路板上安装使用。同时，该器件具备良好的热稳定性和短路保护能力，增强了系统的可靠性。
　　ML12N100的栅极驱动电压范围为±20V，确保其在不同的驱动条件下都能保持稳定工作。此外，该器件的开关速度快，适用于高频开关应用，如PWM控制和开关电源设计。

ML12N100因其出色的性能广泛应用于多个领域。在电源管理系统中，常用于DC-DC转换器、AC-DC适配器和开关电源模块，其高耐压和低导通电阻特性有助于提高能效。
　　在电机控制和驱动应用中，ML12N100可作为H桥电路中的开关器件，适用于直流电机、步进电机等驱动控制，其高电流承受能力确保电机在高负载下仍能稳定运行。
　　此外，该器件也广泛用于逆变器系统，如太阳能逆变器和UPS不间断电源，负责将直流电转换为交流电输出，其优异的热管理和高可靠性使其在恶劣环境下也能正常工作。
　　在工业自动化控制系统中，ML12N100可用于继电器替代、负载开关、LED照明驱动等应用，提供高效的功率控制方案。

IRF540N, FDPF5N50, STP12NM50N, IRLZ44N