时间：2025/12/26 0:45:46
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ML05MT150是一款由Littelfuse公司生产的瞬态电压抑制二极管阵列（TVS Array），专为高速数据线和敏感电子电路的静电放电（ESD）保护而设计。该器件采用先进的半导体工艺制造，能够在极短时间内响应过压事件，将瞬态高压钳位于安全水平，从而有效保护下游集成电路免受损坏。ML05MT150特别适用于需要高可靠性ESD防护的便携式消费类电子产品，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑以及各类带有高速接口的通信设备。其封装形式为微型化的SOD-882，具有体积小、重量轻、易于表面贴装等优点，非常适合空间受限的应用场景。此外，该器件符合RoHS环保标准，并具备无卤素（Halogen-Free）特性，满足现代电子产品对绿色环保的要求。由于其低电容设计，ML05MT150在保护信号完整性方面表现出色，不会对高速信号传输造成明显干扰或失真。
类型：TVS二极管阵列
通道数：1
工作电压（VRWM）：5V
击穿电压（VBR）：6.3V（最小）
最大箝位电压（VC @ IPP）：12.5V（典型值，IPP = 1A）
峰值脉冲电流（IPP）：1.7A（最大）
结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
封装：SOD-882
电容值（Ct）：0.4pF（典型值，f = 1MHz, V = 0V）
ESD耐受能力：±15kV（接触放电，IEC 61000-4-2 Level 4）
ML05MT150具备卓越的瞬态电压抑制性能，能够在纳秒级时间内响应高达±15kV的静电放电冲击，确保被保护线路的安全稳定运行。其核心优势之一是超低动态电阻与极低结电容（典型值仅为0.4pF），这使得它在高频信号路径中几乎不引入额外的信号衰减或反射，适用于USB 2.0、HDMI、DisplayPort、音频接口等高速数据传输线路的防护。器件内部结构采用双向对称设计，可同时应对正负极性的瞬态过压事件，无需考虑极性连接问题，提升了设计灵活性与安装便利性。
该TVS阵列基于硅雪崩技术，具有优异的能量吸收能力和长期稳定性，在反复遭受ESD冲击后仍能保持原有电气特性不变。其SOD-882封装不仅节省PCB布局空间，还具备良好的热传导性能，有助于热量快速散发，提高系统整体可靠性。此外，ML05MT150通过了IEC 61000-4-2 Level 4和IEC 61000-4-4等多项国际电磁兼容性标准认证，适用于严苛工业环境和消费类应用场景。由于其低漏电流特性（通常小于1μA），在待机或低功耗模式下不会显著增加系统的静态功耗，有利于延长电池供电设备的续航时间。综合来看，ML05MT150是一款高性能、小尺寸、高可靠性的单线ESD保护解决方案，广泛应用于移动终端和精密电子模块中。
主要用于便携式消费类电子产品中的高速数据接口ESD保护，例如智能手机和平板电脑的耳机插孔、USB端口、触摸屏信号线、摄像头模组连接线等；也可用于笔记本电脑、数码相机、可穿戴设备中的敏感模拟或数字信号线路防护；适用于工业控制系统的传感器接口、通信模块以及人机交互界面的瞬态电压抑制需求；此外还可用于汽车电子中的低速数据总线保护（如LIN、部分CAN分支）、车载信息娱乐系统接口等场合；因其符合严格的环保标准，也适用于医疗电子设备中对可靠性和安全性要求较高的信号通道保护设计。
SL05VT150P
