时间：2024/5/6 16:19:13
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设计时充分考虑效率。具有高集成度、超小型封装、高能效ARMCortex-M0+32位性能。继承了Kinetis系列丰富的功能和可扩展性。该产品具有以下特性：
在极低功耗运行模式下，运行功耗低至36μA/MHz
静态功耗低至2μA，并具有全状态保留和4μs唤醒能力
超高效Cortex-M0+处理器，运行频率高达48MHz，具有业界领先的吞吐速率
存储器选项为最高32KBFlash和4KBRAM
节能架构针对低功耗优化，采用90nmTFS技术、时钟和电源选通技术以及零等待状态Flash存储器控制器
性能
48 MHz ARM Cortex-M0+内核
存储器和存储器接口
高达 32 KB 的程序 Flash 存储器
高达 4 KB 的 SRAM
系统外设
九种低功耗模式，可根据应用要求提供功耗优化
COP 软件看门狗
SWD 调试接口和微跟踪缓冲器
位操作引擎
时钟
32 kHz 至 40 kHz 晶振
多用途时钟源
1 kHz LPO 时钟
工作特性
电压范围：1.71 V 至 3.6 V
Flash 写入电压范围：1.71 V 至 3.6 V
温度范围(环境)：-40 °C 至 105 °C
| 商品分类 | MCU微控制器 | 品牌 | NXP(恩智浦) |
| 封装 | QFN-16 | 包装 | 托盘 |
| 核心处理器 | ARM Cortex-M0+ | 内核规格 | 32-位 |
| 速度 | 48MHz | 连接能力 | I2C，SPI，UART/USART |
| 外设 | 欠压检测/复位，LVD，POR，PWM，WDT | I/O数 | 14 |
| 程序存储容量 | 32KB（32K x 8） | 程序存储器类型 | 闪存 |
| EEPROM容量 | - | RAM大小 | 4K x 8 |
| 电压-供电(Vcc/Vdd) | 1.71V ~ 3.6V | 数据转换器 | A/D 6x12b |
| 振荡器类型 | 内部 | 工作温度 | -40°C ~ 105°C（TA） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 基本产品编号 | MKL02Z32 |
| HTSUS | 8542.31.0001 | 产品应用 | 通用类MCU |
| 湿气敏感性等级(MSL) | 3（168 小时） | ECCN | 3A991A2 |
| RoHS状态 | 符合 ROHS3 规范 | REACH状态 | 非 REACH 产品 |
MKL02Z32VFG4原理图
MKL02Z32VFG4引脚图
