时间：2025/7/23 22:26:36
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MK41H80N20 是一款由Microsemi（现为Microchip Technology旗下品牌）制造的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率和高频率的电力电子应用。该器件设计用于高效能的开关应用，适用于如工业电源、DC-DC转换器、逆变器以及电机控制等场合。MK41H80N20以其高耐压、低导通电阻和优异的热性能而闻名，能够满足高性能功率电子系统的需求。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极电压(Vds)：200V
栅极-源极电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：41A（在25°C）
导通电阻(Rds(on))：80mΩ
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：TO-247
MK41H80N20是一款性能优越的功率MOSFET，其主要特性包括高耐压能力和低导通电阻。这种MOSFET能够在高达200V的漏极-源极电压下正常工作，使其适合用于高电压应用。其导通电阻仅为80mΩ，确保在高电流应用中减少功率损耗并提高效率。
此外，该器件具备优良的热管理能力，能够在极端温度条件下（-55°C至175°C）稳定运行，使其适用于恶劣的工作环境。TO-247封装形式不仅提供了良好的散热效果，还便于在PCB上的安装和连接。
MK41H80N20还具有快速开关特性，使其在高频开关应用中表现出色。这有助于减小外部滤波元件的尺寸，并提高系统的整体响应速度。由于其高性能和高可靠性，这款MOSFET广泛应用于各种电力电子系统，如太阳能逆变器、电动车辆的功率系统、工业自动化设备和高功率电源模块。
MK41H80N20广泛应用于需要高效功率转换和控制的系统中。常见的应用包括工业电源、DC-DC转换器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电机驱动器和电池管理系统。此外，该器件也可用于高频率开关应用，如高频电源供应器和功率放大器。
IXFH41N20P
IRF1405
STP41N20
