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MJW21196G 发布时间 时间:2025/5/7 16:07:30 查看 阅读:8

MJW21196G是一款NPN型功率晶体管,广泛应用于开关电源、电机驱动和音频放大器等领域。该器件具有高增益、低饱和电压和良好的热稳定性,适合在大电流条件下工作。
  该晶体管的封装形式通常为TO-247或TO-220,便于散热处理。其设计目的是满足工业控制、消费电子以及汽车电子等领域的严格要求。

参数

集电极-发射极击穿电压:80V
  集电极最大电流:30A
  功耗:200W
  增益(hFE):15~200
  集电极-基极反向击穿电压:60V
  存储温度范围:-55℃~150℃
  工作结温:-55℃~150℃

特性

MJW21196G采用先进的制造工艺,确保了出色的电气性能和可靠性。
  1. 高电流承载能力,能够适应恶劣的工作环境。
  2. 低饱和电压,有助于提高效率并减少功耗。
  3. 热稳定性良好,在高温环境下仍能保持稳定的性能。
  4. 快速开关速度,适合高频应用。
  5. 封装结构坚固,具备良好的机械强度和散热性能。
  这些特性使MJW21196G成为需要高效、可靠功率管理的应用的理想选择。

应用

MJW21196G主要应用于以下领域:
  1. 开关电源和直流-直流转换器中的功率开关。
  2. 电机驱动电路,用于控制电机的速度和方向。
  3. 音频功率放大器,提供高质量的声音输出。
  4. 工业自动化设备中的负载控制。
  5. 汽车电子系统中的各种功率管理模块。
  由于其高性能和可靠性,该晶体管适用于多种高要求场景。

替代型号

MJW21196, MJ11015, 2SD1196G

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MJW21196G参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)16A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)250V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)3V @ 3.2A,16A
  • 电流 - 集电极截止(最大)100µA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)20 @ 8A,5V
  • 功率 - 最大200W
  • 频率 - 转换4MHz
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装TO-247
  • 包装管件
  • 其它名称MJW21196GOS