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MJW21194G 发布时间 时间:2025/5/22 16:37:00 查看 阅读:10

MJW21194G是一款高性能的NPN型功率晶体管,广泛应用于开关电源、电机驱动、音频放大器以及其他需要大电流和高电压处理能力的电子电路中。该晶体管采用先进的制造工艺,具有较低的饱和压降和较高的电流增益,从而提升了效率并降低了功耗。
  该器件具备出色的热性能,能够承受较高的结温范围,确保在恶劣环境下仍能稳定工作。此外,MJW21194G符合RoHS标准,适合现代环保设计需求。

参数

集电极-发射极击穿电压:80V
  集电极最大电流:30A
  功率耗散:150W
  直流电流增益(hFE):25~70
  集电极-发射极饱和电压:1.2V
  存储温度范围:-55℃~150℃
  工作结温范围:-55℃~150℃

特性

MJW21194G具有以下显著特点:
  1. 高电流承载能力,可支持高达30A的集电极电流。
  2. 较低的饱和电压(典型值为1.2V),有助于减少功率损耗。
  3. 宽广的工作温度范围,适用于工业和汽车等严苛环境。
  4. 稳定的电气性能,保证长时间运行的可靠性。
  5. 封装形式坚固耐用,通常采用TO-247或类似的金属封装,便于散热管理。

应用

MJW21194G主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率转换电路。
  2. 各种类型的电机驱动控制电路。
  3. 音频功率放大器的设计,用作输出级器件。
  4. 工业自动化设备中的负载切换。
  5. 汽车电子系统中的大电流开关元件。
  6. 其他需要高电流和高电压处理能力的场景。

替代型号

MJW21194
  KSP11
  TIP31C

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MJW21194G参数

  • 标准包装30
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)16A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)250V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)4V @ 3.2A,16A
  • 电流 - 集电极截止(最大)100µA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)20 @ 8A,5V
  • 功率 - 最大200W
  • 频率 - 转换4MHz
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装TO-247
  • 包装管件
  • 其它名称MJW21194GOS