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MJE200 发布时间 时间:2025/6/29 12:45:30 查看 阅读:8

MJE200是一款NPN型功率晶体管,广泛应用于功率放大和开关电路中。它属于摩托罗拉(Motorola)公司生产的MJ系列功率晶体管,具有较高的电流增益、较低的饱和电压以及良好的热稳定性。该器件通常用于音频功率放大器、电机控制、电源管理以及其他需要大电流驱动的应用场景。
  MJE200的主要特点是其额定集电极-发射极击穿电压较高,能够承受较大的功率耗散,同时具备快速的开关速度。

参数

最大集电极电流:15A
  集电极-发射极击穿电压:60V
  集电极-基极击穿电压:50V
  发射极-基极击穿电压:7V
  功率耗散:115W
  直流电流增益(hFE):20-100
  过渡频率:4MHz
  存储温度范围:-55℃至150℃

特性

MJE200作为一款NPN型功率晶体管,其主要特性包括高电流承载能力、适中的电压耐受水平以及良好的增益性能。
  1. 高电流能力:该晶体管的最大集电极电流可达15A,适合需要大电流输出的场合。
  2. 较高的击穿电压:集电极-发射极击穿电压为60V,可以适应一定范围内的高压应用。
  3. 低饱和电压:在导通状态下,晶体管表现出较低的饱和电压,有助于减少功率损耗。
  4. 稳定性好:无论是直流还是高频工作条件下,MJE200都能提供稳定的性能表现。
  5. 良好的热特性:能够在较宽的温度范围内正常工作,并且具有较高的功率耗散能力。

应用

MJE200适用于多种电子电路设计,常见的应用场景包括:
  1. 功率放大器:用于驱动扬声器等负载。
  2. 开关电路:作为大电流开关元件,可用于控制电机、继电器或其他高功耗负载。
  3. 电源管理:在开关电源或线性稳压器中充当关键的功率处理单元。
  4. 负载驱动:例如LED驱动、加热元件控制等领域。
  5. 保护电路:用作过流保护或短路保护的核心组件。

替代型号

2N3055, TIP3055, BDW89C

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MJE200参数

  • 制造商ON Semiconductor
  • 产品种类Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性NPN
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO25 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO8 V
  • 最大直流电集电极电流5 A
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min70
  • 配置Single
  • 最大工作频率65 MHz
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格Through Hole
  • 封装 / 箱体TO-225-3
  • 封装Bulk
  • 集电极连续电流5 A
  • 最小工作温度- 65 C
  • 功率耗散15 W
  • 工厂包装数量500