时间：2025/9/3 21:54:05
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IPB60R040CFD7 是英飞凌（Infineon）推出的一款高性能功率MOSFET器件，属于OptiMOS系列。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和卓越的热性能，适用于高效率电源转换系统。IPB60R040CFD7 采用TO-263封装（也称为D2PAK），便于在高功率密度设计中使用。该MOSFET广泛应用于服务器电源、电信电源、DC-DC转换器、同步整流器以及工业电源系统等领域。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电压（VDS）：600V
最大连续漏极电流（ID）：45A
导通电阻（RDS(on)）：40mΩ
栅极电荷（Qg）：98nC
最大功耗（Ptot）：150W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-263（D2PAK）
IPB60R040CFD7 具备多项优异特性，首先其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率；其次，该器件采用先进的沟槽技术，优化了开关性能，从而减少了开关损耗。
此外，IPB60R040CFD7 具有较高的热稳定性和可靠性，能够在高温环境下稳定工作；其封装设计（TO-263）提供了良好的散热性能，并支持表面贴装（SMD）工艺，便于自动化生产和维护。
该MOSFET还具备较高的雪崩能量耐受能力，增强了在突发负载或瞬态条件下的稳定性和安全性。栅极电荷（Qg）较低，有助于提升高频开关应用中的性能表现。
另外，IPB60R040CFD7 通过了AEC-Q101汽车级认证，适用于对可靠性要求严苛的应用场景。
IPB60R040CFD7 适用于多种高功率、高效率的电源转换系统，包括服务器电源、电信电源、DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动、工业自动化电源系统等。
由于其优异的导通和开关性能，该器件在高效电源供应器中被广泛采用，以降低整体系统损耗并提高转换效率。
同时，其良好的热性能和可靠性使其适用于高温环境和高可靠性要求的应用，如新能源汽车充电设备、工业变频器、UPS不间断电源系统等。
此外，在光伏逆变器和储能系统中，IPB60R040CFD7 也可作为主开关器件，支持高效率和稳定的能量转换。
IPB60R045CFD7, IPB60R037CFD7, IPP60R040CFD7
