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MJE13001G-I-AB3-F-R 发布时间 时间:2025/12/27 8:25:21 查看 阅读:11

MJE13001G-I-AB3-F-R是一款由ON Semiconductor生产的NPN型硅晶体管,主要用于中等功率开关和放大应用。该器件采用TO-92封装,具备良好的热稳定性和可靠性,广泛应用于消费类电子设备中的电源控制、LED驱动、继电器驱动以及小型电机控制等场景。MJE13001G-I-AB3-F-R是专为高电压开关设计的晶体管,具有较高的集电极-发射极击穿电压和快速开关响应能力,适用于需要频繁通断操作的电路环境。该器件符合RoHS标准,属于环保型产品,并且在制造过程中采用了可靠的工艺技术以确保一致的性能表现。其标识中的后缀‘-I-AB3-F-R’代表卷带包装、工业级标准及符合特定物流与环保规范的信息,适合自动化贴片生产流程。这款晶体管在设计上优化了二次击穿耐受能力,能够在瞬态高压条件下保持稳定工作,从而提高系统整体的可靠性。

参数

类型:NPN
  材料:硅
  最大集电极电流(IC):0.8A
  最大集电极-发射极电压(VCEO):500V
  最大集电极-基极电压(VCBO):700V
  最大发射极-基极电压(VEBO):9V
  最大功耗(Ptot):1.25W
  直流电流增益(hFE):最小20,典型值40-100(测试条件IC=150mA)
  过渡频率(fT):4MHz
  工作结温范围(Tj):-55°C 至 +150°C
  封装形式:TO-92

特性

MJE13001G-I-AB3-F-R晶体管具备出色的高压开关能力,其最大集电极-发射极电压可达500V,能够满足多种高压小电流应用场景的需求,例如开关电源中的脉冲控制环节。该器件的击穿电压指标经过严格筛选,确保在实际使用中不会因电压波动而导致意外击穿或失效。
  其结构设计优化了载流子传输效率,在保证高耐压的同时仍能维持合理的电流增益水平,典型hFE值在40至100之间,适合用于信号放大与功率驱动两种模式。此外,该晶体管具有较低的饱和压降,在导通状态下能有效减少功耗并降低温升,有利于提升系统的能效表现。
  由于采用硅材料并结合成熟的平面外延工艺,MJE13001G-I-AB3-F-R具备良好的温度稳定性,可在-55°C到+150°C的宽温度范围内正常工作,适应各种恶劣环境条件下的长期运行需求。器件还具备较强的抗二次击穿能力,这对于防止在开关瞬间出现局部热点导致永久性损坏至关重要。
  TO-92封装形式使其体积小巧,便于安装于紧凑型PCB布局中,同时具备一定的散热能力,配合适当的外围设计可实现持续稳定的功率输出。该晶体管还通过了多项国际安全与环保认证,符合现代电子产品对绿色制造的要求。整体而言,该器件在成本、性能与可靠性之间实现了良好平衡,是中小功率开关电路中的优选方案之一。

应用

MJE13001G-I-AB3-F-R常用于各类家用电器的电源控制模块,如节能灯镇流器、LED照明驱动电路、小型开关电源(SMPS)中的初级侧开关元件。其高耐压特性使其特别适合处理来自交流电网的高压脉冲信号,能够在反激式转换器中作为主开关管使用,实现高效的能量传递。
  在工业控制领域,该晶体管可用于驱动继电器、电磁阀或小型直流电机,凭借其快速的开关响应速度和足够的负载驱动能力,能够准确执行数字控制信号的通断指令。此外,它也常见于电池充电器、适配器等便携式设备的过流保护与稳压电路中,起到关键的调节作用。
  由于其封装形式适合自动化贴装,因此广泛应用于大规模生产的消费类电子产品中,包括电视机、显示器背光控制、电源板模块等。在某些感应加热设备或电子镇流器中,该晶体管也可作为振荡电路的一部分参与高频信号生成。
  值得一提的是,该器件在替代传统机械开关方面表现出色,不仅延长了设备使用寿命,还能实现更精确的控制逻辑。综合来看,MJE13001G-I-AB3-F-R因其高性价比和稳定性能,在多个行业中成为基础性的功率开关元件选择。

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