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MJD5731T4G 发布时间 时间:2025/5/13 9:00:05 查看 阅读:7

MJD5731T4G是一款NPN型硅晶体功率三极管,广泛应用于开关和线性放大电路中。该器件具有较高的电流增益和耐压能力,能够承受较大的集电极电流,适用于各种功率驱动场合。其封装形式为TO-264,具备良好的散热性能。

参数

最大集电极电流:5A
  最大集射极电压:80V
  最大集基极电压:15V
  最大耗散功率:65W
  直流电流增益(hFE):10~70
  结温范围:-55℃~150℃

特性

MJD5731T4G采用NPN结构设计,具有较低的饱和电压和较高的电流承载能力。其大功率处理能力和出色的热稳定性使得该器件非常适合用于功率放大器、电机驱动器以及电源开关等应用领域。
  此外,该器件的封装形式(TO-264)提供了较大的散热面积,从而增强了长期运行时的可靠性。在高频或高负载条件下,MJD5731T4G依然能保持稳定的性能表现。

应用

MJD5731T4G主要应用于需要较高电流和电压处理能力的场景,例如音频功率放大器、继电器驱动、直流电机控制、开关电源以及其他工业自动化设备中的功率管理模块。
  同时,它也常被用作通用功率晶体管,在各类电子设备中提供高效的电流切换和信号放大功能。

替代型号

MJD5731, TIP142, BDW93

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MJD5731T4G参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)1A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)350V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)1V @ 200mA,1A
  • 电流 - 集电极截止(最大)100µA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)30 @ 300mA,10V
  • 功率 - 最大1.56W
  • 频率 - 转换10MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装DPAK-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称MJD5731T4G-NDMJD5731T4GOSTR