类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：30V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：160A
　　导通电阻(Rds(on))：2.4mΩ @ Vgs=10V
　　导通电阻(Rds(on))：3.2mΩ @ Vgs=4.5V
　　功率耗散(Pd)：130W
　　工作温度范围：-55°C ~ +175°C

UPL24CTPT 的核心特性在于其卓越的导电性能和高效的热管理能力。首先，其低导通电阻（Rds(on)）在10V和4.5V的栅极电压下分别达到2.4mΩ和3.2mΩ，这大大减少了导通损耗，提高了整体系统效率。其次，该器件采用先进的沟槽式栅极结构，能够有效降低开关损耗，适用于高频开关应用。
　　此外，UPL24CTPT采用PowerFLAT 5x6封装，这种封装设计具有出色的散热性能，同时减少了PCB上的空间占用，非常适合紧凑型设计。该封装还支持双面散热，进一步提升了器件在高功率应用中的可靠性。
　　器件的额定漏极电流高达160A，能够在高负载条件下稳定工作，适用于大电流驱动应用，如直流电机控制、电源转换器和电池管理系统。同时，其宽泛的工作温度范围（-55°C至+175°C）确保了其在极端环境下的稳定性和耐用性。
　　UPL24CTPT还具备强大的抗雪崩能力和高能效的开关特性，使其在面对高能瞬态情况时依然能够保持稳定运行，从而延长了系统的使用寿命。

UPL24CTPT 主要应用于需要高效功率管理的电子设备中，包括但不限于电动车辆的电机驱动器、工业自动化设备的电源管理系统、高效能DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）以及高功率负载开关等。其高电流承载能力和低导通电阻也使其成为高性能电源模块和嵌入式系统的理想选择。

STL24N3LLH5, IPW60R028C7, STD240N3LLH5