时间：2023/4/6 11:40:37
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MJD45H11RLG技术参数
类型：PNP
集电极－发射集最小雪崩电压VCEO(V)：80
集电极最大电流IC(Max)(A)：8
直流电流增益hFE最小值(dB)：40
最小电流增益带宽乘积Ft(MHz)：50
总功耗PD(W)：20
封装/温度(℃)：DPAK/-55~150
| 厂商 |
|---|
| ON Semiconductor |
