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MJD45H11RLG 发布时间 时间:2023/4/6 11:40:37 查看 阅读:1029

MJD45H11RLG技术参数

目录

概述

类型:PNP

集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):80

集电极最大电流IC(Max)(A):8

直流电流增益hFE最小值(dB):40

最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):50

总功耗PD(W):20

封装/温度(℃):DPAK/-55~150

资料

厂商
ON Semiconductor

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MJD45H11RLG参数

  • 标准包装1,800
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)8A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)80V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)1V @ 400mA,8A
  • 电流 - 集电极截止(最大)1µA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)40 @ 4A,1V
  • 功率 - 最大1.75W
  • 频率 - 转换90MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装DPAK-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称MJD45H11RLG-NDMJD45H11RLGOSTR