MJD45H11RLG
时间:2023/4/6 11:40:37
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概述
类型:PNP
集电极-发射集最小雪崩电压VCEO(V):80
集电极最大电流IC(Max)(A):8
直流电流增益hFE最小值(dB):40
最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):50
总功耗PD(W):20
封装/温度(℃):DPAK/-55~150
MJD45H11RLG参数
- 标准包装1,800
- 类别分离式半导体产品
- 家庭晶体管(BJT) - 单路
- 系列-
- 晶体管类型PNP
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大)8A
- 电压 - 集电极发射极击穿(最大)80V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)1V @ 400mA,8A
- 电流 - 集电极截止(最大)1µA
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)40 @ 4A,1V
- 功率 - 最大1.75W
- 频率 - 转换90MHz
- 安装类型表面贴装
- 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商设备封装DPAK-3
- 包装带卷 (TR)
- 其它名称MJD45H11RLG-NDMJD45H11RLGOSTR