H9TQ17ABJTMCUR 时间：2025/9/1 21:47:15 阅读：12

H9TQ17ABJTMCUR是一款由SK海力士（SK Hynix）生产的高密度、低功耗的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于移动式LPDDR4 SDRAM系列，适用于需要高性能内存支持的移动设备和嵌入式系统。该芯片采用BGA（球栅阵列）封装，具备较小的封装尺寸和较高的数据传输速率。

参数

类型：LPDDR4 SDRAM
　　容量：2GB
　　数据速率：3200Mbps
　　工作电压：1.1V（VDD）/0.6V（VDDQ）
　　组织结构：x16
　　封装类型：BGA
　　封装尺寸：9mm x 11mm
　　温度范围：-40°C 至 +85°C

特性

H9TQ17ABJTMCUR具备多项先进的性能和设计特点，适用于现代移动设备的高性能内存需求。其低电压设计（1.1V和0.6V）有助于降低功耗，提高能效，延长设备电池续航时间。该芯片支持高速数据传输，最高可达3200Mbps，适用于高带宽需求的应用场景。此外，其紧凑的BGA封装设计节省了PCB空间，适用于轻薄型移动设备。H9TQ17ABJTMCUR还支持温度补偿自刷新（Temperature Compensated Self-Refresh, TCSR）功能，可在高温环境下减少刷新频率，进一步降低功耗并提高数据稳定性。该芯片具备优异的可靠性和稳定性，支持多种操作模式，如预充电、自动刷新、突发操作等，以满足不同应用场景的需求。同时，其高性能和低功耗的特性使其成为智能手机、平板电脑、嵌入式系统和便携式电子设备的理想选择。

应用

H9TQ17ABJTMCUR广泛应用于高性能移动设备和嵌入式系统中，例如智能手机、平板电脑、智能穿戴设备、车载信息娱乐系统（IVI）、工业控制设备和物联网（IoT）设备等。由于其低功耗、高速数据传输能力和紧凑的封装尺寸，该芯片特别适用于对能效和空间要求较高的便携式电子产品。在智能手机和移动计算设备中，它可以作为主存储器使用，为操作系统、应用程序和用户数据提供高效的存储支持。