时间：2025/9/14 19:28:21
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MJD45H11J 是一款由 ON Semiconductor 生产的 NPN 型达林顿晶体管，主要用于高功率放大和开关应用。该器件具有高电流增益和良好的热稳定性，适用于工业控制、电源管理和电机驱动等场合。
类型：NPN 达林顿晶体管
最大集电极-发射极电压（VCEO）：100 V
最大集电极电流（IC）：5.0 A
最大功耗（PD）：65 W
电流增益（hFE）：最小 750（在 IC=3.0 A, VCE=3.0 V）
封装形式：TO-220AB
MJD45H11J 是一款性能优异的达林顿晶体管，其核心特性包括高电流增益、良好的导通特性和强大的负载驱动能力。这款晶体管采用了达林顿结构，使它在低基极电流下仍能控制较大的集电极电流，从而实现高效的功率放大。其最大集电极-发射极电压为 100 V，集电极电流可达 5.0 A，适用于较高电压和电流的应用场景。此外，MJD45H11J 的最大功耗为 65 W，具有良好的散热能力，可在较高温度环境下稳定工作。该器件的封装形式为 TO-220AB，便于安装在散热片上，以提高散热效率。其电流增益最低为 750，在 IC=3.0 A 和 VCE=3.0 V 的条件下仍能保持较高的放大能力，确保电路运行的稳定性。
从电气特性来看，MJD45H11J 的基极-发射极电压（VBE）在额定工作条件下约为 2.5 V，这一数值略高于普通晶体管，这是达林顿结构的典型特征。此外，该晶体管的开关速度适中，适合用于中速开关应用，但在高频开关场合可能需要配合适当的驱动电路来优化性能。由于其高增益和大电流能力，MJD45H11J 常被用于电机控制、继电器驱动、电源转换器以及各种功率放大电路中。
MJD45H11J 广泛应用于需要高电流增益和较大功率处理能力的电路中，例如工业自动化控制系统、电源管理模块、直流电机驱动器、继电器和螺线管控制电路等。此外，该晶体管也常用于音频功率放大器、稳压电源以及各种中高功率电子设备中。
TIP122, MJ15024, BD679
