FTZ789ATA 时间：2025/8/24 19:04:36 阅读：21

FTZ789ATA 是一款由 Diodes 公司（原 Zetex）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于电源管理和功率开关应用。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，提供低导通电阻（Rds(on)）和高效率的功率转换能力。FTZ789ATA 通常用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制、电池管理系统以及工业自动化设备等场合。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：12A
　　最大漏极-源极电压（VDS）：30V
　　最大栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大 9.5mΩ（在 VGS=10V）
　　栅极电荷（Qg）：18nC
　　功耗（PD）：40W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

特性

FTZ789ATA 的核心优势在于其低导通电阻和高电流承载能力，使其在高效率电源设计中表现优异。采用先进的沟槽式结构，有助于降低导通损耗并提高热性能。该器件的封装形式为 TO-252（也称为 DPAK），具有良好的散热能力和焊接稳定性，适合表面贴装工艺（SMT）。
　　此外，FTZ789ATA 具有快速开关特性，能够减少开关损耗，提高整体系统效率。其 ±20V 的最大栅极电压允许在较宽的驱动电压范围内使用，兼容多种栅极驱动电路。该器件的热阻较低，有助于在高功率应用中保持稳定运行。在极端工作条件下，如高温或高电流负载下，仍能保持良好的稳定性和可靠性。这使得 FTZ789ATA 成为工业、通信和汽车电子系统中的理想选择。

应用

FTZ789ATA 广泛应用于多种功率电子系统中，包括但不限于：DC-DC 降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、马达驱动器、电池管理系统（BMS）、电源管理模块、服务器和通信设备的电源单元、工业自动化控制系统以及汽车电子中的功率控制模块。由于其高可靠性和优异的热性能，该 MOSFET 特别适用于需要高效率和高稳定性的应用场景。