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MJD350-13 发布时间 时间:2025/12/26 8:40:53 查看 阅读:9

MJD350-13是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的NPN双极结型晶体管(BJT),属于高功率达林顿晶体管系列,广泛应用于需要高电流增益和大电流开关能力的场合。该器件采用TO-220封装形式,具备良好的散热性能,适用于工业控制、电源管理、电机驱动以及各类功率放大电路中。MJD350-13的设计使其能够在较高的集电极电流下稳定工作,同时提供出色的饱和电压特性,确保在开关应用中的低功耗表现。其高电流增益特性减少了对前级驱动电流的需求,从而简化了驱动电路设计。此外,该晶体管具有较高的集电极-发射极击穿电压(VCEO),可在较宽的电压范围内可靠运行,适合用于通用功率放大与开关应用。由于其优异的热稳定性和可靠性,MJD350-13常被用于汽车电子系统、照明控制、继电器驱动及电源逆变器等场景。该器件符合RoHS环保标准,支持无铅焊接工艺,适应现代电子制造的绿色生产要求。

参数

类型:NPN 达林顿晶体管
  最大集电极-发射极电压(VCEO):100 V
  最大集电极-基极电压(VCBO):100 V
  最大发射极-基极电压(VEBO):5 V
  最大集电极电流(IC):5 A
  最大功耗(PD):70 W(TO-220封装)
  直流电流增益(hFE):1000 至 16000(典型值,测试条件IC = 500 mA)
  饱和电压 - 集电极至发射极(VCE(sat)):约 1.5 V(在IC = 3 A, IB = 30 mA条件下)
  工作结温范围(TJ):-55°C 至 +150°C
  封装类型:TO-220

特性

MJD350-13作为一款高性能的NPN达林顿晶体管,其最显著的特性之一是极高的直流电流增益(hFE),典型值可达数千甚至上万。这种高增益特性使得即使在输入驱动信号非常微弱的情况下,也能实现对大负载电流的有效控制,非常适合用于需要低驱动电流驱动高功率负载的应用场景。例如,在微控制器输出直接驱动继电器或电机时,MJD350-13可以省去额外的前置放大级,从而简化电路结构并降低成本。
  该器件采用达林顿结构,由两个串联的NPN晶体管组成,前级晶体管的发射极连接到后级晶体管的基极,整体形成复合管配置。这种设计极大地提升了电流放大倍数,但也带来了相对较高的饱和压降(VCE(sat)),通常在1.5V左右。尽管如此,这一压降在许多开关应用中仍可接受,尤其是在注重高增益和大电流能力而非极致效率的场合。
  MJD350-13的最大集电极电流可达5A,能够驱动较大功率的负载,如电磁阀、直流电机或大功率LED阵列。其100V的集电极-发射极耐压能力使其适用于多种电源电压等级下的应用,包括12V、24V乃至48V系统。TO-220封装提供了良好的热传导路径,允许通过外接散热片进一步提升功率处理能力,确保长时间高负荷运行下的稳定性。
  该晶体管的工作结温范围宽达-55°C至+150°C,表现出优异的环境适应性,适用于严苛的工业和汽车环境。此外,它具备一定的过载和瞬态保护能力,但建议在实际应用中配合适当的限流和保护电路(如基极限流电阻、反向并联二极管等)以防止感性负载关断时产生的反电动势损坏器件。总体而言,MJD350-13是一款可靠、高效的功率开关器件,特别适合需要高增益、大电流驱动能力且对成本敏感的设计需求。

应用

MJD350-13广泛应用于需要大电流开关控制的各种电子系统中。常见用途包括工业自动化控制系统中的继电器或接触器驱动电路,利用其高电流增益特性,可以直接由逻辑电路或微控制器IO口驱动大功率负载。在电机控制领域,该晶体管可用于小型直流电机的速度调节或启停控制,尤其适用于玩具、家用电器或办公设备中的低速电机驱动方案。此外,在电源系统中,MJD350-13可作为线性稳压器的调整管使用,配合反馈控制电路实现电压调节功能,虽然效率不如开关电源高,但在某些对噪声敏感的应用中仍具优势。
  在照明控制方面,该器件可用于大功率LED或卤素灯的开关与调光控制,特别是在汽车照明系统中,如尾灯、雾灯或车内氛围灯的驱动模块。由于其能够承受较高的瞬时电流冲击,因此也适用于电池充电器、逆变电源和不间断电源(UPS)等电力转换设备中的功率切换环节。在消费类电子产品中,MJD350-13常用于音频功率放大器的输出级,尤其是老式或低成本音响系统中,作为推挽输出的一部分来增强输出功率。
  此外,该晶体管还被用于各类电源管理模块,如DC-DC转换器的缓冲级或启动电路,以及各种类型的功率接口电路中。由于其具备良好的温度稳定性和长期可靠性,MJD350-13也被选用于部分汽车电子模块,如车身控制单元(BCM)、风扇控制器或加热器驱动电路。总之,凡是在需要将小信号控制转化为大电流输出的场景下,MJD350-13都是一种经济而有效的解决方案。

替代型号

MJD350T4G

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MJD350-13参数

  • 制造商Diodes Inc.
  • 产品种类Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性PNP
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO300 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO3 V
  • 最大直流电集电极电流0.5 A
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min30 at 50 mA at 10 V
  • 配置Single
  • 最大工作温度+ 150 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体DPAK
  • 封装Reel
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散1560 mW
  • 工厂包装数量2500