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BC857BWT1G 发布时间 时间:2025/12/24 9:39:13 查看 阅读:23

BC857BWT1G 是一款 NPN 型小信号晶体管,适用于高频开关和放大应用。该器件由 Nexperia(前身为恩智浦的标准产品业务部)生产,具有高增益、低噪声和快速开关的特点,广泛应用于消费电子、通信设备和工业控制等领域。
  BC857 系列晶体管通常用作通用放大器或开关元件,其封装形式为 SOT23 小型表面贴装封装,适合高密度电路设计。

参数

集电极-发射极电压 (VCEO):45V
  集电极电流 (IC):0.2A
  直流电流增益 (hFE):100~630
  最大功率耗散 (Ptot):310mW
  工作温度范围 (Tamb):-55°C ~ +150°C
  封装类型:SOT23

特性

BC857BWT1G 的主要特性包括:
  1. 高电流增益(hFE 在 100 至 630 范围内),确保在各种条件下实现可靠的信号放大。
  2. 快速开关能力,适合高频应用,例如脉宽调制 (PWM) 控制和数据传输。
  3. SOT23 封装提供卓越的热性能和电气性能,同时支持紧凑型设计。
  4. 宽工作温度范围(-55°C 到 +150°C),使其能够在恶劣环境中可靠运行。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且适用于现代电子制造流程。

应用

BC857BWT1G 晶体管适合以下应用场景:
  1. 开关电源中的小型信号控制。
  2. 消费电子产品中的音频信号放大。
  3. 通信设备中的射频信号处理。
  4. 工业自动化系统中的传感器接口。
  5. 数据通信中的高速逻辑电平转换。
  6. LED 驱动和其他低功率控制电路。

替代型号

以下是 BC857BWT1G 的一些常见替代型号:
  1. BC847BWT1G(同系列 PNP 型晶体管)。
  2. MMBT3904LT1G(类似规格的 NPN 型号,来自其他制造商)。
  3. 2N3904(传统 TO-92 封装的 NPN 晶体管,电气特性接近)。
  4. BC337(适用于更高功率的应用场景)。
  请注意,在选择替代型号时,应仔细对比关键参数如 VCEO、IC 和 hFE,以确保满足具体电路要求。

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BC857BWT1G参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)45V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)650mV @ 5mA,100mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)220 @ 2mA,5V
  • 功率 - 最大150mW
  • 频率 - 转换100MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-70,SOT-323
  • 供应商设备封装SC-70-3(SOT323)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称BC857BWT1G-NDBC857BWT1GOSTR