您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > MJD32C

MJD32C 发布时间 时间:2025/6/5 22:17:27 查看 阅读:8

MJD32C是一种NPN型双极结型晶体管(BJT),广泛用于开关和放大应用中。该晶体管具有较高的电流增益和较低的饱和电压,适用于各种电子电路中的信号放大和开关控制。
  该器件采用TO-126封装形式,具有良好的散热性能,适合在较高功率条件下工作。MJD32C常用于电源管理、电机驱动以及一般的模拟和数字电路中。

参数

集电极-发射极击穿电压:80V
  集电极最大连续电流:5A
  直流电流增益(hFE):最低30,典型100
  总功耗:62.5W
  存储温度范围:-55℃至150℃
  工作结温范围:-55℃至150℃

特性

MJD32C具有以下主要特性:
  1. 高电流承载能力,能够处理高达5A的集电极电流。
  2. 较高的直流电流增益,使得其在放大应用中表现出色。
  3. 低饱和电压,确保高效开关操作并减少功耗。
  4. TO-126封装提供了良好的热管理和机械稳定性。
  5. 广泛的工作温度范围使其适用于各种环境条件下的应用。
  6. 击穿电压为80V,能够在中等电压电路中可靠运行。

应用

MJD32C晶体管通常用于以下应用场景:
  1. 开关电路:如继电器驱动、LED驱动、小型电机控制等。
  2. 电源管理:包括线性稳压器、电流源设计等。
  3. 放大器电路:音频放大器、信号调理电路等。
  4. 数字逻辑接口:用于增强电流或电压输出。
  5. 保护电路:过流保护、短路保护等功能实现。
  MJD32C凭借其强大的电气性能,在工业、消费类电子产品及汽车电子领域都有广泛应用。

替代型号

MJE32C, 2N3055, TIP31C

MJD32C推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

MJD32C资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载
  • MJD32C
  • General Purpose Amplifier Low Speed ...
  • FAIRCHILD
  • 阅览

MJD32C参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)3A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)100V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)1.2V @ 375mA,3A
  • 电流 - 集电极截止(最大)50µA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)10 @ 3A,4V
  • 功率 - 最大15W
  • 频率 - 转换-
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装管件