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MJD31T4G 发布时间 时间:2025/5/7 13:13:44 查看 阅读:8

MJD31T4G是一种NPN型的双极结型晶体管(BJT),广泛应用于各种电子电路中,主要用于开关和放大功能。该晶体管具有较高的电流增益和良好的频率特性,适合于驱动继电器、LED、小型电机等负载。此外,它还具备一定的耐压能力,能够在相对较高的电压下工作。

参数

集电极-发射极电压:60V
  集电极电流:5A
  功率耗散:62.5W
  直流电流增益(hFE):10-70
  过渡频率:1MHz
  存储温度范围:-55℃至150℃

特性

MJD31T4G的主要特性包括高电流承载能力、适中的电压耐受性以及良好的热稳定性。其典型应用领域涉及功率控制和信号处理。该器件的封装形式通常为TO-220,这种封装有助于散热,同时提供了机械强度和电气隔离。由于其低饱和电压,在开关应用中可以减少功耗并提高效率。
  该晶体管在设计时考虑了工业和消费类应用的需求,因此它的电气性能和可靠性都经过优化,能够满足大多数功率电子设备的要求。
  此外,MJD31T4G还支持表面贴装技术(SMT)版本,方便在现代化的生产线中使用。

应用

MJD31T4G被广泛用于各类电源管理电路,例如稳压器、开关电源和线性调节器。它也可以用作音频放大器中的驱动级或输出级元件。另外,该晶体管适用于需要大电流驱动的各种场景,如H桥驱动电路、PWM调制电路以及电磁阀控制电路。在一些嵌入式系统中,MJD31T4G还可以作为接口电路,将微控制器信号转换为更大的功率输出以驱动外部负载。

替代型号

2N3055, TIP31C, BD245C

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MJD31T4G参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)3A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)40V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)1.2V @ 375mA,3A
  • 电流 - 集电极截止(最大)50µA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)10 @ 3A,4V
  • 功率 - 最大1.56W
  • 频率 - 转换3MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装DPAK-3
  • 包装带卷 (TR)