时间：2025/8/5 16:08:01
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IXTA50N25T-TRL是一款由IXYS公司生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高效率和高性能的功率电子应用中。该器件采用了先进的技术，具备低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性。适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制、电池充电器和各种工业自动化设备等领域。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：50A
漏源电压（VDS）：250V
栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大值为0.045Ω
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：TO-220AB
功率耗散（PD）：150W
IXTA50N25T-TRL具备多项优异特性，包括低导通电阻（RDS(on)），可显著降低导通损耗，提高系统效率。其高漏源电压（VDS）额定值为250V，适用于中高压功率应用。该器件的高栅源电压（VGS）耐受能力（±20V）使其在复杂的开关环境中具备更强的稳定性和可靠性。
此外，IXTA50N25T-TRL采用了先进的平面工艺和封装技术，提供良好的热管理能力，确保在高负载条件下的稳定运行。其快速开关特性可减少开关损耗，适用于高频开关应用。
该MOSFET还具备良好的抗雪崩能力和短路耐受能力，适用于需要高可靠性的工业和电源系统。TO-220AB封装形式便于安装和散热，适合多种电路设计需求。
IXTA50N25T-TRL广泛应用于各类电力电子设备中，例如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、电池充电器、电机驱动器和工业自动化控制系统。其高耐压和低导通电阻特性使其在高功率密度电源设计中表现出色。此外，该器件也可用于太阳能逆变器、UPS（不间断电源）系统、LED照明驱动电路以及电动工具和电动车控制系统。
IXTA50N25NL-TRL, IXFN50N25T, IRFPG50, FDPF50N25
