MJD31C-TR 是一款由 ON Semiconductor 生产的 NPN 双极型晶体管 (BJT),采用 SOT-223 封装形式。该晶体管设计用于中功率开关和放大应用,具有良好的热稳定性和高电流承载能力。MJD31C-TR 是工业控制、电源管理和汽车电子等领域中常用的器件之一,适用于需要较高电流增益和稳定性能的电路设计。
晶体管类型:NPN
最大集电极电流:3A
最大集电极-发射极电压:80V
最大集电极-基极电压:100V
最大功耗:2W
封装类型:SOT-223
增益带宽积:100MHz
电流增益 (hFE):在 IC=150mA 时为 50-300(根据等级不同)
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
MJD31C-TR 拥有多种优异的电气特性,使其在多种电子电路中表现出色。首先,该晶体管具有较高的电流承载能力,最大集电极电流可达 3A,使其适用于中等功率的开关和放大电路。其次,其集电极-发射极电压 (VCE) 和集电极-基极电压 (VCB) 分别达到 80V 和 100V,能够适应较宽的电压范围应用需求。此外,MJD31C-TR 的封装形式为 SOT-223,具备良好的散热性能,有助于在高功耗条件下保持稳定工作。该晶体管的 hFE(电流增益)在 IC=150mA 条件下可达到 50-300,根据等级不同而变化,提供了良好的放大性能。其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C,适用于各种恶劣环境条件下的应用,如汽车电子和工业控制系统。此外,MJD31C-TR 还具有较快的开关速度,适合用于高频放大和开关应用,其增益带宽积为 100MHz,能够满足大多数中频电路的需求。
MJD31C-TR 由于其良好的电气性能和较高的可靠性,广泛应用于多个领域。在工业控制方面,它可用于继电器驱动、电机控制和传感器接口电路。在电源管理领域,该晶体管可以作为开关稳压器、DC-DC 转换器和电池充电器中的关键元件。在汽车电子系统中,MJD31C-TR 常用于车灯控制、电动机驱动和车载充电系统。此外,该晶体管也可用于音频放大器、功率放大器和低频信号处理电路。由于其封装形式便于散热,因此也适用于需要较高功耗的便携式设备和嵌入式系统。
MJD31C, MJD31C-G, MJD31C-DI, MJD31C-TB