晶体管类型：NPN
　　最大集电极电流：3A
　　最大集电极-发射极电压：80V
　　最大集电极-基极电压：100V
　　最大功耗：2W
　　封装类型：SOT-223
　　增益带宽积：100MHz
　　电流增益 (hFE)：在 IC=150mA 时为 50-300（根据等级不同）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

MJD31C-TR 拥有多种优异的电气特性，使其在多种电子电路中表现出色。首先，该晶体管具有较高的电流承载能力，最大集电极电流可达 3A，使其适用于中等功率的开关和放大电路。其次，其集电极-发射极电压 (VCE) 和集电极-基极电压 (VCB) 分别达到 80V 和 100V，能够适应较宽的电压范围应用需求。此外，MJD31C-TR 的封装形式为 SOT-223，具备良好的散热性能，有助于在高功耗条件下保持稳定工作。该晶体管的 hFE（电流增益）在 IC=150mA 条件下可达到 50-300，根据等级不同而变化，提供了良好的放大性能。其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适用于各种恶劣环境条件下的应用，如汽车电子和工业控制系统。此外，MJD31C-TR 还具有较快的开关速度，适合用于高频放大和开关应用，其增益带宽积为 100MHz，能够满足大多数中频电路的需求。

MJD31C-TR 由于其良好的电气性能和较高的可靠性，广泛应用于多个领域。在工业控制方面，它可用于继电器驱动、电机控制和传感器接口电路。在电源管理领域，该晶体管可以作为开关稳压器、DC-DC 转换器和电池充电器中的关键元件。在汽车电子系统中，MJD31C-TR 常用于车灯控制、电动机驱动和车载充电系统。此外，该晶体管也可用于音频放大器、功率放大器和低频信号处理电路。由于其封装形式便于散热，因此也适用于需要较高功耗的便携式设备和嵌入式系统。

MJD31C, MJD31C-G, MJD31C-DI, MJD31C-TB