MJB44H11TG 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)制造的达林顿晶体管阵列,常用于高电流和高电压应用中。这款器件包含五个独立的达林顿对管,每个对管由两个双极型晶体管组成,以提供高电流增益。MJB44H11TG 通常用于继电器驱动、灯负载控制、工业自动化和电机控制等应用。
类型:达林顿晶体管阵列
晶体管数量:5个
集电极-发射极电压(VCEO):80V
集电极电流(IC):300mA
功耗(PD):1.25W
电流增益(hFE):1000
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:16引脚 SOIC
MJB44H11TG 的主要特性之一是其高电流增益能力,每个达林顿对管的 hFE 可以达到1000或更高。这使得它非常适合用于需要高灵敏度和低输入电流的应用,例如数字控制的负载开关。此外,MJB44H11TG 的 VCEO 电压额定值为80V,可以支持多种高电压电路应用。
该器件的封装为16引脚 SOIC,具有良好的热性能和空间效率,适合用于紧凑型电路板设计。同时,MJB44H11TG 的最大功耗为1.25W,允许在中等负载条件下运行,而不至于产生过多热量。每个晶体管都内置了一个续流二极管,用于保护器件免受感性负载反电动势的影响,从而提高系统的可靠性。
另一个显著特点是其宽工作温度范围,从-55°C到+150°C,使其适用于工业和汽车环境中的严苛条件。MJB44H11TG 的设计还支持并联使用,以实现更高的电流承载能力,满足特定应用的需求。
MJB44H11TG 主要用于需要高电流增益和高电压控制的电路中。它广泛应用于继电器驱动器、LED显示屏控制、电机控制、工业自动化系统、汽车电子控制模块以及各种开关电源应用。在汽车电子系统中,MJB44H11TG 可用于控制灯负载、风扇电机或电动窗电机。在工业控制中,该器件可作为数字信号与高功率负载之间的接口。
由于每个晶体管都集成有续流二极管,MJB44H11TG 特别适合用于驱动电感性负载,如继电器和小型直流电机。这种集成保护功能减少了外围电路的复杂性,降低了系统设计的难度和成本。此外,该器件也可用于多路复用系统,控制多个负载的开启和关闭,例如在大型LED广告牌或建筑照明系统中。
在电源管理方面,MJB44H11TG 可作为高边或低边开关使用,适用于电池管理系统、不间断电源(UPS)和充电控制器等应用。其高增益特性使其能够由微控制器或其他低功率控制信号直接驱动,而无需额外的缓冲或驱动电路。
ULN2003A, MJD122T4G, TIP120, MJD122, MJB44H11