您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > MJ75BX100

MJ75BX100 发布时间 时间:2025/9/3 14:08:31 查看 阅读:6

MJ75BX100 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于需要高效率和高可靠性的功率转换应用。该器件采用先进的平面技术,具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力,适用于电源管理、电机控制、DC-DC 转换器等场景。MJ75BX100 通常封装在 TO-220 或 TO-262 等标准功率封装中,便于散热和安装。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  最大漏源电压(Vds):100V
  最大漏极电流(Id):75A(在 25°C 下)
  导通电阻(Rds(on)):约 2.8mΩ(典型值)
  栅极阈值电压(Vgs(th)):2V ~ 4V
  最大功耗(Pd):160W
  工作温度范围:-55°C ~ 150°C
  封装类型:TO-220、TO-262 等

特性

MJ75BX100 的主要特性包括低导通电阻、高电流能力和出色的热性能,使其在高功率密度应用中表现出色。其低 Rds(on) 值可以显著降低导通损耗,提高系统效率。此外,该 MOSFET 具有良好的雪崩能量承受能力,增强了器件在开关过程中承受瞬态电压的能力,提高了可靠性。该器件还具备快速开关特性,适用于高频操作,减少开关损耗。MJ75BX100 的设计使其适用于各种功率电子设备,如电源供应器、逆变器、电池管理系统等。
  此外,MJ75BX100 的封装设计便于散热,能够有效将热量传导到散热片或 PCB 上,确保器件在高负载条件下稳定运行。其标准封装也使得它在替换和维修时具有较高的兼容性。

应用

MJ75BX100 常用于需要高效率和高可靠性的功率电子系统中,例如 DC-DC 转换器、同步整流器、电机控制电路、电源管理模块、电池充电器以及各种工业自动化设备。在汽车电子中,它也常用于车载充电系统、电机驱动器和能量管理系统。由于其优异的热管理和电气性能,MJ75BX100 也适用于需要高功率密度和紧凑设计的应用场景。

替代型号

IRF1405, FDP75N10, FQP75N10

MJ75BX100推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价