MJ75BX100 时间：2025/9/3 14:08:31 阅读：26

MJ75BX100 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于需要高效率和高可靠性的功率转换应用。该器件采用先进的平面技术，具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力，适用于电源管理、电机控制、DC-DC 转换器等场景。MJ75BX100 通常封装在 TO-220 或 TO-262 等标准功率封装中，便于散热和安装。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：100V
　　最大漏极电流（Id）：75A（在 25°C 下）
　　导通电阻（Rds(on)）：约 2.8mΩ（典型值）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V ~ 4V
　　最大功耗（Pd）：160W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：TO-220、TO-262 等

特性

MJ75BX100 的主要特性包括低导通电阻、高电流能力和出色的热性能，使其在高功率密度应用中表现出色。其低 Rds(on) 值可以显著降低导通损耗，提高系统效率。此外，该 MOSFET 具有良好的雪崩能量承受能力，增强了器件在开关过程中承受瞬态电压的能力，提高了可靠性。该器件还具备快速开关特性，适用于高频操作，减少开关损耗。MJ75BX100 的设计使其适用于各种功率电子设备，如电源供应器、逆变器、电池管理系统等。
　　此外，MJ75BX100 的封装设计便于散热，能够有效将热量传导到散热片或 PCB 上，确保器件在高负载条件下稳定运行。其标准封装也使得它在替换和维修时具有较高的兼容性。

应用

MJ75BX100 常用于需要高效率和高可靠性的功率电子系统中，例如 DC-DC 转换器、同步整流器、电机控制电路、电源管理模块、电池充电器以及各种工业自动化设备。在汽车电子中，它也常用于车载充电系统、电机驱动器和能量管理系统。由于其优异的热管理和电气性能，MJ75BX100 也适用于需要高功率密度和紧凑设计的应用场景。