时间：2025/7/24 2:12:24
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IXFA180N10T2 是一款由 IXYS 公司制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高功率和高效率的应用场景。该器件采用了先进的技术，确保在高电流和高电压条件下仍能保持优异的性能表现。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压 (Vds)：100V
最大栅源电压 (Vgs)：±20V
最大连续漏极电流 (Id)：180A
功耗 (Pd)：300W
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
封装类型：TO-263（表面贴装）
导通电阻 (Rds(on))：典型值为 3.2mΩ（在 Vgs=10V 时）
IXFA180N10T2 MOSFET 的关键特性之一是其低导通电阻，这有助于降低导通损耗并提高整体系统效率。此外，该器件具有高电流处理能力，使其适用于大功率应用。该 MOSFET 还具备良好的热稳定性，可在高温环境下可靠运行。其先进的制造工艺和封装设计确保了出色的散热性能和机械强度。
该器件的栅极驱动设计允许在较低的栅极电压下运行，从而减少驱动电路的复杂性和功耗。同时，IXFA180N10T2 提供了快速的开关性能，有助于减少开关损耗并提高电源转换效率。此外，该 MOSFET 具有良好的抗雪崩击穿能力，能够在极端工作条件下保持稳定运行。
IXFA180N10T2 广泛应用于多种高功率电子设备，包括但不限于电源供应器、DC-DC 转换器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、逆变器、UPS（不间断电源）以及工业自动化控制系统。由于其卓越的性能和可靠性，该器件也常用于汽车电子、新能源和工业电机控制等对性能要求较高的场合。
IXFN180N10T2
