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MIXA61H1200ED 发布时间 时间:2025/8/6 3:17:19 查看 阅读:32

MIXA61H1200ED 是一款由 Microsemi(现为 Microchip Technology 旗下品牌)生产的碳化硅(SiC)功率模块,适用于高功率、高频应用。该模块集成了 SiC MOSFET 和肖特基二极管,具有高效能、低导通损耗和快速开关特性。它广泛用于工业电源、可再生能源系统、电动汽车充电设备和储能系统等领域。

参数

类型:SiC 功率模块
  额定电压:1200V
  额定电流:60A
  导通电阻(Rds(on)):120mΩ(典型值)
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C
  封装形式:双列直插式(Dual Inline)
  热阻(Rth):约 0.5°C/W(典型值)
  最大短路电流:200A(100μs)
  栅极电荷(Qg):150nC(典型值)
  最大工作频率:150kHz
  隔离电压:2500Vrms(1分钟)

特性

MIXA61H1200ED 模块采用先进的碳化硅半导体技术,具有优异的热管理和能效表现。其低导通电阻和快速开关特性可显著降低功率损耗,提高系统效率。模块内部集成的 SiC MOSFET 和肖特基二极管可减少外部元件数量,简化电路设计,提升系统可靠性。该模块具备出色的短路耐受能力,可在高负载条件下稳定运行。其高温耐受性使其适用于高温环境,无需复杂的散热系统。此外,该模块符合 RoHS 环保标准,适合绿色电子产品的设计需求。

应用

MIXA61H1200ED 主要用于高功率密度和高频开关应用,如工业电源转换器、太阳能逆变器、电动汽车车载充电器(OBC)、储能系统(ESS)、不间断电源(UPS)以及电机驱动器等。其高可靠性和高效能特性使其成为严苛工业环境中的理想选择。

替代型号

MIXA60R1200ED, SCT3060AW, SiC61H1200EDK, IXYS IXRFD61H1200ED

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MIXA61H1200ED参数

  • 现有数量18现货102Factory
  • 价格1 : ¥666.60000盒
  • 系列-
  • 包装
  • 产品状态在售
  • IGBT 类型PT
  • 配置全桥反相器
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)1200 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)85 A
  • 功率 - 最大值290 W
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值)2.1V @ 15V,55A
  • 电流 - 集电极截止(最大值)500 μA
  • 不同?Vce 时输入电容 (Cies)-
  • 输入标准
  • NTC 热敏电阻
  • 工作温度-40°C ~ 125°C(TJ)
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳E2
  • 供应商器件封装E2