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MIXA450PF1200TSF 发布时间 时间:2025/8/6 6:58:23 查看 阅读:26

MIXA450PF1200TSF是一种射频混合器芯片,专为高频通信系统设计。它在无线基础设施、微波传输、测试设备和军事通信等应用中发挥关键作用,能够将两个不同频率的信号混合,输出其和频与差频。该芯片采用高性能双平衡混频器结构,提供出色的线性度和隔离度,适用于要求高灵敏度和低失真的复杂射频系统。

参数

工作频率范围:2GHz - 20GHz
  本振(LO)功率:+13dBm至+17dBm
  射频(RF)输入频率:2GHz - 20GHz
  中频(IF)输出频率:DC - 6GHz
  转换损耗:典型值9dB
  LO至RF隔离度:≥35dB
  LO至IF隔离度:≥25dB
  RF至IF隔离度:≥20dB
  输入IP3:+25dBm
  工作温度范围:-55°C 至 +125°C
  封装类型:表面贴装(SMT),14引脚陶瓷封装

特性

MIXA450PF1200TSF混频器芯片具有多项出色的性能特性。其宽频带设计使其适用于多种射频和微波应用场景,从2GHz到20GHz的工作频率范围确保了在不同波段下的稳定运行。该芯片采用双平衡结构,提供了优异的端口隔离性能,有效减少了信号干扰和泄漏,从而提高了系统的整体信号完整性。
  此外,MIXA450PF1200TSF具有较高的输入三阶截点(IP3),典型值为+25dBm,这使其在高动态范围应用中表现出色,能够处理较强的输入信号而不产生显著的互调失真。其转换损耗较低,典型值为9dB,有助于降低系统的总损耗并提升灵敏度。
  芯片支持宽范围的中频输出(DC至6GHz),使其适用于多种IF架构设计。同时,该器件具有良好的温度稳定性,工作温度范围从-55°C至+125°C,适用于工业级和军用级应用环境。
  封装方面,该芯片采用14引脚陶瓷表面贴装封装(SMT),便于自动化装配并提供良好的热管理和高频性能。这种封装方式也有助于提高器件在高频下的稳定性和可靠性。

应用

MIXA450PF1200TSF广泛应用于高性能射频和微波通信系统,包括无线基站、微波回传系统、测试与测量仪器、雷达系统、卫星通信以及军用通信设备等。其优异的线性度和隔离性能使其特别适用于需要高动态范围和低失真的复杂信号处理环境。此外,该芯片也可用于频谱分析仪、信号发生器和无线测试设备中,作为关键的频率转换元件。

替代型号

MIXA450PF1200TSF的替代型号包括HMC554LC4B和SRA-4HF。

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MIXA450PF1200TSF参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥1,430.66000盒
  • 系列-
  • 包装
  • 产品状态在售
  • IGBT 类型PT
  • 配置半桥
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)1200 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)650 A
  • 功率 - 最大值2100 W
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值)2.15V @ 15V,450A
  • 电流 - 集电极截止(最大值)1 mA
  • 不同?Vce 时输入电容 (Cies)-
  • 输入标准
  • NTC 热敏电阻
  • 工作温度-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳模块
  • 供应商器件封装模块