时间：2025/12/25 13:24:16
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TFZGTR3.3B是一款由TOSHIBA（东芝）生产的表面贴装型瞬态电压抑制二极管（TVS Diode），主要用于电路中的静电放电（ESD）保护和瞬态过电压防护。该器件采用先进的半导体工艺制造，具有快速响应时间、低钳位电压和高可靠性等特点，适用于对敏感电子元件进行保护的应用场景。TFZGTR3.3B的标称击穿电压为3.3V，能够在短时间内吸收高达数安培的浪涌电流，从而有效防止因外部瞬态干扰导致的系统故障或损坏。其封装形式为小型化的SOD-723FL，占用PCB面积小，适合在空间受限的便携式电子产品中使用，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及各类消费类电子设备。该TVS二极管符合RoHS环保标准，并通过了IEC 61000-4-2等国际电磁兼容性测试认证，确保在复杂电磁环境中仍能提供稳定的保护性能。
类型：单向TVS二极管
工作电压（VRWM）：3.3V
击穿电压（VBR）：最小3.67V，最大4.05V
最大钳位电压（VC @ IPP）：9.2V @ 4.7A
峰值脉冲功率（PPPM）：400W
响应时间：<1ns
封装：SOD-723FL
极性：单向
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
ESD耐受能力：±30kV（空气放电）、±30kV（接触放电）
IEC 61000-4-2等级：Level 4
TFZGTR3.3B具备卓越的瞬态电压抑制能力，能够迅速响应并泄放由静电放电（ESD）或电感负载切换引起的瞬态过电压，保障后级电路的安全运行。其核心优势在于超快的响应时间，通常小于1纳秒，这意味着在高压尖峰出现的瞬间即可进入导通状态，将电压钳制在安全范围内，避免敏感IC如微处理器、USB接口、传感器等受到损害。
该器件采用单向结构设计，适用于直流供电线路的保护，例如电源轨、I/O端口和信号线。当系统电压正常时，TVS呈现高阻态，几乎不消耗电流；一旦检测到超过击穿电压的瞬态电压，它会立即转变为低阻抗通路，将大部分能量导向地线，从而保护下游电路。这种自动恢复特性使得TVS无需更换即可重复使用，提升了系统的可靠性和维护便利性。
此外，TFZGTR3.3B的小型化SOD-723FL封装不仅节省宝贵的PCB布局空间，还优化了热传导路径，有助于提高散热效率。该封装支持自动化贴片生产，提高了组装良率与生产效率。其额定峰值脉冲功率达到400W，可在短时间内承受高强度的电流冲击，满足工业环境下的严苛要求。同时，产品符合无铅和RoHS指令，适应现代绿色电子制造趋势。
广泛应用于便携式消费电子产品中的ESD保护，如智能手机和平板电脑的USB接口、耳机插孔、显示屏连接器等部位；用于保护微控制器单元（MCU）、FPGA、ASIC等敏感数字逻辑器件免受外界静电影响；适用于各类通信模块，包括Wi-Fi、蓝牙和NFC电路的信号线防护；可用于工业控制设备中的人机交互界面（HMI）、按钮和触摸感应区域的过压保护；也常见于可穿戴设备、智能家居终端及物联网节点中，为其长期稳定运行提供安全保障。
SMBJ3.3A
